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公开(公告)号：CN116984271A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310980767.4
申请日：2023-08-07
申请人： 西安航思半导体有限公司
摘要： 本发明公开一种集成电路测试分选装置，其在导轨远离振动盘的一端设置有暂存台，位于暂存台的一侧设置有龙门架，与避位槽对应配合的整形板沿远离电路封装管的方向呈阶梯状排列，且靠近电路封装管的一个整形板初始位置最低，在整形板的底部两端各自设置有单弧面整形爪，且在两个相对设置的单弧面整形爪之间设置有双弧面整形爪，在左容置腔、右容置腔的内部均设置有一顶部固定连接有绝缘导向杆的测试电极，且该绝缘导向杆与整形板之间滑动连接，在此整形板与测试电极之间相对设置有开关电极A、开关电极B。本发明既实现了对不同形变程度的引脚进行整形，又通过与电路封装管的引脚多点接触导通，实现了电路封装管的电性测试，提高了整体的生产效率。
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公开(公告)号：CN110867401B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201911181316.4
申请日：2019-11-27
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本发明公开一种集成电路封装器件的加工装置，包括支撑板、第一框架、第二框架、第三框架、打标器和打磨机构，所述第一框架、第二框架、第三框架依次连接设置于支撑板的同一侧，所述打标器设置于第二框架上方，所述打磨机构安装于第三框架上方，所述打磨机构包括顶板和活动安装于顶板下方的打磨头，所述顶板一侧与支撑板固定连接，此顶板的另一侧设置有一挡板，所述挡板上开有一风嘴，所述第三框架下方设置有一吸尘仓，此吸尘仓通过一第一风管与所述风嘴贯通连接。本发明实现了对移动至第三框架上的半导体器件的打磨，还可以将打磨过程中产生的碎屑吸收至吸尘仓的内部，避免碎屑造成空气污染影响工作人员身体健康，同时还可以避免后期清洁人员清理困难。
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公开(公告)号：CN112701054B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202011426172.7
申请日：2019-02-22
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/31
摘要： 本发明公开了一种电子产品用半导体器件的制造方法，其半导体器件包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述散热焊盘的中央区开有一供芯片嵌入的沉槽，从而在散热焊盘的边缘区形成一围堰部；包括以下步骤：先将硅微粉和阻燃剂与3‑氨基丙基三乙氧基硅烷混合均匀；再加入环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、焦碳酸二乙酯、聚乙二醇单辛基苯基醚、醋酸丁酸纤维素、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚和脱模剂。该方法制备得到的半导体器件内部气孔的发生率低，且改善半导体器件的散热效果。
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公开(公告)号：CN113451227A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110620909.7
申请日：2019-03-06
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/367 , H01L23/488
摘要： 本发明公开了一种高可靠性QFN封装器件结构，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述分隔槽槽壁上开有若干个延伸至散热焊盘内的T形槽，所述导热绝缘条上设有填充于T形槽中的T形部；所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明高可靠性QFN封装器件结构增强了环氧绝缘体的整体力学性能，兼具有优秀的耐热性能。
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公开(公告)号：CN112435975A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011428825.5
申请日：2019-02-22
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/29
摘要： 本发明公开了一种芯片封装结构，其散热焊盘的中央区开有一供芯片嵌入的沉槽，从而在散热焊盘的边缘区形成一围堰部，所述沉槽的底部和围堰部与芯片的下表面和侧壁之间均设置有银浆层，所述沉槽的底部开有若干个延伸至散热焊盘内的换热盲孔；所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、焦碳酸二乙酯、硅微粉、聚乙二醇单辛基苯基醚、3‑氨基丙基三乙氧基硅烷、醋酸丁酸纤维素、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明芯片封装结构芯片封装结构散热效果、力学性能优异，封装结构稳定可靠。
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公开(公告)号：CN109950158B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910131685.6
申请日：2019-02-22
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/367 , C08L63/00 , C08L61/06 , C08L9/02 , C08L71/02 , C08L1/14 , C08L23/30 , C08K9/06 , C08K3/36 , C08K3/24 , C08K3/38 , C08K5/098 , H01B3/40 , C08G59/42 , C08G59/50
摘要： 本发明公开了一种高导热DFN封装器件的制备方法，包括以下步骤：S1.先将硅微粉和阻燃剂与3‑氨基丙基三乙氧基硅烷混合均匀，进行表面处理；S2.再加入环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、焦碳酸二乙酯、聚乙二醇单辛基苯基醚、醋酸丁酸纤维素、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚和脱模剂，混合均匀；S3.将混合物于90~110℃混炼3~5分钟，产物冷却后粉碎过筛；该方法制备得到的高导热DFN封装器件内部气孔的发生率低，有效避免了气孔导致的导热性能降低进而引起电性方面的失效的问题。
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公开(公告)号：CN117590183A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202211001594.9
申请日：2022-08-19
申请人： 西安航思半导体有限公司
摘要： 本发明公开一种用于DFN封装器件的测试装置，其第一活塞、第二活塞上、下分布且在两者之间形成一气腔，第二活塞与连接壳体底部内壁之间设置有一第二弹簧，一顶板设置在连接壳体上方，一安装在顶板底部的第二支撑杆可穿过连接壳体顶壁与第一活塞固定连接，一第二支撑杆的上端与第二活塞连接，其具有探针的下端位于检测壳体内部，支撑板的两端各开设有一通孔，顶板具有一用于嵌入通孔的第一连接杆，位于支撑板下表面的固定板一侧安装有一电机，位于第一连接杆正下方的第二连接杆与电机输出轴固定连接，第三连接杆分别与第一连接杆的下端、第二连接杆的上端转动连接。本发明既可以实现探针与器件的软接触，还可以调节探针的位置，提高了装置的适用性。
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公开(公告)号：CN117524921A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311395528.9
申请日：2019-11-27
申请人： 西安航思半导体有限公司
摘要： 本发明公开一种集成电路的封装加工设备，包括支撑板、第一框架、第二框架、第三框架、打标器和打磨机构，所述第一框架、第二框架、第三框架依次连接设置于支撑板的同一侧，所述打标器设置于第二框架上方，所述挡板上开有一风嘴，所述第三框架下方设置有一吸尘仓，此吸尘仓通过一第一风管与所述风嘴贯通连接，所述吸尘仓内设置有一负压风机，所述第三框架下方设置有一集尘板，此集尘板上设置有一通孔，此通孔通过一第二风管与吸尘仓贯通连接，所述第一框架和第三框架下方均连接有支撑柱，所述集尘板安装于第三框架下方的支撑柱上。本发明可以自动实现对安装于移动块内的半导体器件的双面打标而无需人工干预翻面，提高作业的效率。
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公开(公告)号：CN113451235B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110620908.2
申请日：2019-03-06
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/29 , H01L23/48 , H01L23/367 , H01L23/498
摘要： 本发明公开了一种QFN封装半导体器，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述散热焊盘远离芯片的一侧开有分隔槽，所述分隔槽宽度为0.1~0.3mm，所述分隔槽将散热焊盘远离芯片的一侧等分分隔形成至少2块焊盘单体；所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂、线型酚醛树脂、液体丁腈橡胶、二苯基甲烷二异氰酸酯、焦碳酸二乙酯、磷酸二苄酯、硅微粉、γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚、脱模剂、阻燃剂。本发明QFN封装半导体器增强了环氧绝缘体的整体力学性能，有效保证了封装结构稳定性。
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公开(公告)号：CN112435974B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202011403577.9
申请日：2019-02-22
申请人： 西安航思半导体有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/29
摘要： 本发明公开了一种高强度DFN封装半导体器件，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上，位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，所述导电焊盘和芯片通过一引线连接；所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分：环氧树脂80份、线型酚醛树脂55份、液体丁腈橡胶16份、焦碳酸二乙酯8份、硅微粉80份、聚乙二醇单辛基苯基醚0.1份、3‑氨基丙基三乙氧基硅烷2份、醋酸丁酸纤维素5份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚5份、脱模剂3份、阻燃剂10份。本发明高强度DFN封装半导体器件散热效果、力学性能优异，增强了环氧绝缘体的整体力学性能，有效保证了封装结构稳定性。
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