本申请公开了一种阵列基板及其制作方法。所述阵列基板的制作方法包括步骤：形成衬底；在所述衬底上依次形成第一金属层、栅极绝缘层、半导体层和第二金属层；在所述第二金属层上形成钝化层；在所述钝化层上形成透明电极层；其中，所述钝化层膜厚在2000埃米到3000埃米之间。本申请通过改变钝化层的膜厚，将钝化层膜厚做在2000埃米到3000埃米之间，使钝化层的薄膜应力降低，增加了钝化层和第二金属层之间的附着力，抑制了底切的产生，提高了液晶面板的良率。