阵列气敏传感装置及阵列气敏传感器

    公开(公告)号:CN118533905A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202410375986.4

    申请日:2024-03-27

    IPC分类号: G01N27/00

    摘要: 本申请公开了一种阵列气敏传感器装置及阵列气敏传感器,属于气敏传感技术领域。本申请提供的一种阵列气敏传感装置包括多个气敏传感装置,所述气敏传感装置包括:控制驱动模块,所述控制驱动模块接入栅极驱动电压和数据电压,所述控制驱动模块用于在所述栅极驱动电压的驱动下基于所述数据电压提供气体检测电压;气体检测模块,所述气体检测模块接入加热电极电压,所述气体检测模块的输入端和所述控制驱动模块连接,所述气体检测模块的输出端与外部检测端口连接,所述气体检测模块用于基于所述加热电极电压和所述气体检测电压进行气体检测,进而实现了不同气体的针对性检测。

    阵列基板及其制备方法和显示装置

    公开(公告)号:CN116184730B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310466042.3

    申请日:2023-04-27

    IPC分类号: G02F1/1362

    摘要: 本申请提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置。该阵列基板包括依次叠设的衬底基板、第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层和半导体层;其中,第一金属层包括数据线,第二金属层包括栅极、扫描线和公共电极,栅极电连接于扫描线,公共电极在衬底基板上的投影覆盖数据线在衬底基板上的投影;半导体层包括有源层和像素电极,有源层包括沟道区、源极和漏极,以与栅极重叠设置形成驱动晶体管,源极通过导电过孔与数据线电连接,像素电极与漏极电连接。该阵列基板能够有效减小寄生电容,有利于提升刷新率和分辨率。

    阵列基板制造方法及显示面板制造方法

    公开(公告)号:CN113206038B

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202110487442.3

    申请日:2021-04-30

    IPC分类号: H01L21/77 H01L27/12

    摘要: 本申请涉及显示面板制造技术,公开了阵列基板制造方法及显示面板制造方法,阵列基板制造方法包括:在基板上沉积遮光层、缓冲层、第一金属层和欧姆接触层;进行第一次光罩制程,形成遮光层图案、缓冲层图案、第一金属层图案和欧姆接触层图案;在经过第一次光罩制程后的基板上沉积有源层、绝缘层和第二金属层;进行第二次光罩制程,形成有源层图案、绝缘层图案和第二金属层图案;在经过第二次光罩制程后的基板上沉积钝化层;进行第三次光罩制程,形成第一导电过孔,第二导电过孔和第三导电过孔以及氧化铟锡层图案。显示面板制造方法,采用了上述的阵列基板制造方法。本申请公开的阵列基板制造方法及显示面板制造方法,工艺流程简单,成本低廉。

    阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板

    公开(公告)号:CN110335871B

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN201910504742.0

    申请日:2019-06-11

    IPC分类号: H01L27/12 H01L21/82

    摘要: 本发明公开了一种阵列基板的制备方法,包括以下步骤:在衬底基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层和金属层后,在所述金属层上形成光刻掩膜,所述光刻掩膜在掩膜板的半曝光区的厚度范围为蚀刻所述光刻掩膜覆盖范围外的所述金属层、所述欧姆接触层和所述有源层;利用灰化反应物对所述光刻掩膜进行预设时间的灰化处理,其中,所述灰化反应物包括氧气,所述预设时间的取值范围为70秒‑100秒;以及基于灰化处理后的光刻掩膜,依次蚀刻所述金属层、所述欧姆接触层和所述有源层,形成阵列基板的沟道区。本发明还公开了一种阵列基板以及显示面板。本发明提高了阵列基板的稳定性。

    阵列基板制造方法及显示面板制造方法

    公开(公告)号:CN113206038A

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN202110487442.3

    申请日:2021-04-30

    IPC分类号: H01L21/77 H01L27/12

    摘要: 本申请涉及显示面板制造技术,公开了阵列基板制造方法及显示面板制造方法,阵列基板制造方法包括:在基板上沉积遮光层、缓冲层、第一金属层和欧姆接触层;进行第一次光罩制程,形成遮光层图案、缓冲层图案、第一金属层图案和欧姆接触层图案;在经过第一次光罩制程后的基板上沉积有源层、绝缘层和第二金属层;进行第二次光罩制程,形成有源层图案、绝缘层图案和第二金属层图案;在经过第二次光罩制程后的基板上沉积钝化层;进行第三次光罩制程,形成第一导电过孔,第二导电过孔和第三导电过孔以及氧化铟锡层图案。显示面板制造方法,采用了上述的阵列基板制造方法。本申请公开的阵列基板制造方法及显示面板制造方法,工艺流程简单,成本低廉。

    一种阵列基板及其制造方法和显示面板

    公开(公告)号:CN109950253A

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201910196977.8

    申请日:2019-03-15

    摘要: 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和显示面板,阵列基板的制造方法包括步骤:形成第一金属层;在第一金属层上通入氮气和氨气形成附着层;在附着层上形成第一绝缘层;对第一绝缘层进行蚀刻形成暴露出第一金属层的过孔;以及在第一绝缘层上形成通过所述过孔与第一金属层连接的透明电极层;附着层与所述第一绝缘层之间的附着力大于所述第一金属层与所述第一绝缘层之间的附着力。通过附着层增加第一绝缘层的吸附力,使得第一绝缘层的蚀刻速度会比较慢,进而改善钻蚀现象。

    发光器件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109659440A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811474938.1

    申请日:2018-12-04

    发明人: 刘振 卓恩宗

    IPC分类号: H01L51/50

    CPC分类号: H01L51/502 H01L51/504

    摘要: 本发明涉及一种发光器件,包括阳极;空穴注入层,形成于阳极上;空穴传输层,形成于空穴注入层上;发光层,形成于空穴传输层上;电子传输层,形成于发光层上;电子注入层,形成于电子传输层上;阴极,形成于电子注入层上;发光层包括N个叠设的发光单元,各发光单元包括热激活延迟荧光材料层和量子点材料层,热激活延迟荧光材料层发射的光与量子点材料层发射的光合成白光,N≥1。上述发光器件,通过设置激活延迟荧光材料层,可以大大提高器件的发光效率。本发明还涉及一种基于上述特征的另一种发光器件。

    一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置

    公开(公告)号:CN109585666A

    公开(公告)日:2019-04-05

    申请号:CN201811473419.3

    申请日:2018-12-04

    发明人: 刘振 卓恩宗

    IPC分类号: H01L51/50 H01L51/54 H01L51/56

    摘要: 本发明公开了一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置。所述显示面板包括有机电致发光器件,所述有机电致发光器件包括发光层,所述发光层包括由介孔二氧化硅构成的主体,和由有机小分子发光材料构成的掺杂物,所述掺杂物设置在所述主体中。本发明将有机小分子发光材料设置在由介孔二氧化硅构成的主体内,可以实现有机小分子发光材料的有效分散,降低聚集成簇的几率,同时有机小分子与无机二氧化硅的结合能够提高器件整体的寿命。

    显示面板及显示装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109545827A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811388843.8

    申请日:2018-11-21

    发明人: 刘振 卓恩宗

    IPC分类号: H01L27/32 H01L51/52

    摘要: 本发明提供一种显示面板及显示装置,其中,显示面板包括:相对设置的第一基板和第二基板;机发光器件,包括依次设置的第一透明电极层、有机发光层和第二透明电极层;阵列电路层,设于所述第二基板与所述有机发光器件之间;所述有机发光层在所述有机发光器件中分隔成阵列排布的多个发光部,以使所述显示面板形成多个交替排布的显示区和透明区。本申请由于有机发光器件采用透明发光器件,阵列电路层可控制显示面板的前后两面显示相同的画面,同时,有机发光器件中的有机发光层在显示面板呈阵列排布,既能实现双面显示,又能在息屏时实现透明显示,提高了用户体验。

    薄膜晶体管、显示基板和薄膜晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN114883343B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202210423517.6

    申请日:2022-04-21

    IPC分类号: H01L27/12 H01L21/77

    摘要: 本申请公开了一种薄膜晶体管、显示基板和薄膜晶体管的制备方法,薄膜晶体管包括依次设置的缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、源极金属层、漏极金属层以及钝化层,栅极金属层、源极金属层和漏极金属层间隔设置,有源层包括至少两个导体部和一个第一半导体部,两个导体部分别设置在第一半导体部的两端,并与第一半导体部电连接;栅极金属层的投影覆盖第一半导体部,源极金属层和漏极金属层分别通过栅极绝缘层的第一过孔和第二过孔与对应的两个导体部连接。本申请将设置导体部和半导体部以形成有源层,不需要对半导体层进行离子轰击以得到导体化的半导体层,避免导体化的半导体层的电阻大,导致开态电流不够,引起显示不均。