本发明提供了一种磁性随机存储器的制作方法，包括如下步骤：(1)在基底上沉积底电极金属层、磁性隧道结多层膜和硬掩模；(2)图形化并刻蚀硬掩模和磁性隧道结多层膜，以形成存储器记忆单元，然后沉积第一覆盖层覆盖磁性隧道结和剩余的硬掩模；(3)图形化并刻蚀形成底电极和假底电极，然后沉积第二覆盖层覆盖被刻蚀暴露的底电极和假底电极边缘；(4)沉积电介质并磨平，然后在存储区域制作位线通孔，在逻辑区域制作逻辑通孔。由于在图案化磁性隧道结之后，才对底电极进行图案化，将会避免先进行图案化带来的底电极顶部的表面不平整；由于多加了一道底电极掩模，可以随意调整底电极的大小，有效避免了底电极太小带来的铜损伤或刻蚀不足。