氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，氧化物或氧氮化物绝缘体膜，场效应晶体管及这些的制造方法

Invention Publication

CN110024089A 氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，氧化物或氧氮化物绝缘体膜，场效应晶体管及这些的制造方法有权

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Patent Title: 氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，氧化物或氧氮化物绝缘体膜，场效应晶体管及这些的制造方法
Patent Title (English): COATING LIQUID FOR FORMING OXIDE OR OXYNITRIDE INSULATOR FILM, OXIDE OR OXYNITRIDE INSULATOR FILM, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND METHODS FOR MANUFACTURING THESE
Application No.: CN201780073946.2

Application Date: 2017-11-28
Publication No.: CN110024089A

Publication Date: 2019-07-16
Inventor: 植田尚之 , 中村有希 , 安部由希子 , 松本真二 , 曾根雄司 , 早乙女辽一 , 新江定宪 , 草柳岭秀 , 安藤友一
Applicant: 株式会社理光
Applicant Address: 日本东京都
Assignee: 株式会社理光
Current Assignee: 株式会社理光
Current Assignee Address: 日本东京都
Agency: 北京市柳沈律师事务所
Agent 肖靖泉
Priority: 2016-233523 2016.11.30 JP
International Application: PCT/JP2017/042686 2017.11.28
International Announcement: WO2018/101278 JA 2018.06.07
Date entered country: 2019-05-29
Main IPC: H01L21/318
IPC: H01L21/318 ; H01L21/336 ; H01L29/786

氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，氧化物或氧氮化物绝缘体膜，场效应晶体管及这些的制造方法

Abstract:

一种氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，所述涂布液包括：第A元素；选自第B元素和第C元素的至少一种；和溶剂，其中所述第A元素为选自Sc、Y、Ln(镧系元素)、Sb、Bi和Te的至少一种，所述第B元素为选自Ga、Ti、Zr和Hf的至少一种，所述第C元素为选自周期表中第2族元素的至少一种，并且所述溶剂包括选自闪点为21℃以上但小于200℃的有机溶剂和水的至少一种。

Abstract(English):

Provided is a coating liquid for forming an oxide or oxynitride insulator film, the coating liquid containing: element A; at least one of element B and element C; and a solvent, wherein the element Ais at least one selected from the group consisting of Sc, Y, Ln (lanthanoid), Sb, Bi, and Te, the element B is at least one selected from the group consisting of Ga, Ti, Zr, and Hf, the element C is at least one selected from the group consisting of elements in group 2 of the periodic table, and the solvent contains at least one selected from the group consisting of water and organic solvents having a flash point of not lower than 21 DEG C but lower than 200 DEG C.

Public/Granted literature

CN110024089B 氧化物或氧氮化物绝缘体膜及其形成用涂布液，场效应晶体管及其制造方法 Public/Granted day:2023-06-27

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314	......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/318	.......由氮化物组成的无机层