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公开(公告)号：CN110024089B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201780073946.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/318 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 一种氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，所述涂布液包括：第A元素；选自第B元素和第C元素的至少一种；和溶剂，其中所述第A元素为选自Sc、Y、Ln(镧系元素)、Sb、Bi和Te的至少一种，所述第B元素为选自Ga、Ti、Zr和Hf的至少一种，所述第C元素为选自周期表中第2族元素的至少一种，并且所述溶剂包括选自闪点为21℃以上但小于200℃的有机溶剂和水的至少一种。
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公开(公告)号：CN105849914B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201480071319.1
申请日：2014-12-16
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L51/50
Abstract: p‑型氧化物半导体，其包括：包含铊(Tl)的金属氧化物，其中所述金属氧化物已经被空穴掺杂。
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公开(公告)号：CN103460389B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201280016806.9
申请日：2012-03-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/24 , C01G3/00 , G09G3/30 , G09G3/34 , G09G3/36 , H01L21/338 , H01L29/786 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/242 , C01F5/06 , C01F11/04 , C01G3/02 , C01P2002/02 , G09G3/32 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78693
Abstract: p型氧化物，其为非晶的并且由如下组成式表示：xAO·yCu2O，其中x表示AO的摩尔比例和y表示Cu2O的摩尔比例，并且x和y满足以下表达式：0≤x
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公开(公告)号：CN106611795A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610915838.2
申请日：2016-10-20
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L29/51 , H01L27/12
CPC classification number: G09G3/3225 , G09G3/3406 , G09G3/344 , G09G3/348 , G09G3/3648 , G09G2300/0417 , G09G2310/0264 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H01L29/786 , H01L27/1214 , H01L29/517
Abstract: 本发明涉及场效应晶体管，显示元件，图像显示装置,系统以及场效应晶体管的栅绝缘层的组成物。提供难以产生因热处理而引起的在栅电极、源电极、漏电极和栅绝缘膜之间的剥离的场效应晶体管。本发明的场效应晶体管包括：用于施加栅电压的栅电极；用于取出电流的源电极和漏电极；与上述源电极和漏电极邻接设置的半导体层；以及设于上述栅电极和上述半导体层之间的栅绝缘层；上述场效应晶体管的特征在于:上述栅绝缘层包括含有Si及一种或多种碱土类金属元素的氧化物。
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公开(公告)号：CN104094407A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201280068524.3
申请日：2012-11-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/24 , C01G30/00 , G02F1/1365 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC classification number: H01L29/247 , C01G19/00 , C01G30/00 , C01P2002/72 , G02F1/1368 , H01L21/02422 , H01L21/02483 , H01L21/02565 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02623 , H01L21/02628 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/861
Abstract: 提供p-型氧化物，其包括氧化物，其中所述氧化物包括：Cu；和元素M，其选自p区元素，并且其在作为离子存在时能够处于平衡状态，其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态，和其中所述p-型氧化物是非晶的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104081510A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201280068540.2
申请日：2012-11-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02628 , H01L29/221 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 一种用于形成金属氧化物薄膜的涂布液，包含：无机铟化合物；无机钙化合物或无机锶化合物，或这两种化合物；以及有机溶剂。通过涂布所述涂布液而形成的氧化物半导体用于场效应晶体管的活性层。
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公开(公告)号：CN102365274A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080013567.2
申请日：2010-03-17
Applicant: 株式会社理光
IPC: C07D339/06 , C07D495/04 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
CPC classification number: C07D339/06 , C07D495/04 , H01L51/0074 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 通式(I)所示的四硫富瓦烯衍生物：在通式(I)中，X表示选自碳原子、硫原子和氮原子的原子，且各X可相同或不同；条件是当X为碳原子或氮原子时，R1-R8各自表示氢原子、卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、和取代或未取代的硫代烷氧基中之一，且可相同或不同；并且Y1和Y2各自表示通式(II)和通式(III)所示的结构之一，且可相同或不同。
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公开(公告)号：CN112514078B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN201980048921.6
申请日：2019-07-19
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种场效应晶体管，包括：源极和漏极；栅极；半导体层；以及栅绝缘层，其中，所述栅绝缘层是包含A元素和B元素的氧化物绝缘体膜，所述A元素是选自由Zr和Hf所组成的组中的一种或多种，并且所述B元素是选自由Be和Mg所组成的组中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN108807427B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810939209.2
申请日：2013-11-27
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。所述场效应晶体管包含：基底；保护层；在基底和保护层之间形成的栅绝缘层；与栅绝缘层接触形成的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成的且与栅绝缘层、源电极和漏电极接触的半导体层；以及栅电极，所述栅电极在与其中设置半导体层的侧相反的侧上形成，其中栅绝缘层在栅电极和半导体层之间，且所述栅电极与栅绝缘层接触，其中保护层包含金属氧化物复合物，所述金属氧化物复合物至少包含Si和碱土金属。
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公开(公告)号：CN110289204B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910189165.0
申请日：2019-03-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/02 , H01L21/316
Abstract: 本发明的氧化物绝缘体膜形成用涂布液含有：含硅化合物、含碱土金属化合物、以及溶剂，所述溶剂包含选自闪点为21℃以上且低于200℃的有机溶剂和水中的至少一种，所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为37.8℃以上。
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