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公开(公告)号：CN110024089B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201780073946.2
申请日：2017-11-28
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/336 , H01L29/786
摘要： 一种氧化物或氧氮化物绝缘体膜形成用涂布液，所述涂布液包括：第A元素；选自第B元素和第C元素的至少一种；和溶剂，其中所述第A元素为选自Sc、Y、Ln(镧系元素)、Sb、Bi和Te的至少一种，所述第B元素为选自Ga、Ti、Zr和Hf的至少一种，所述第C元素为选自周期表中第2族元素的至少一种，并且所述溶剂包括选自闪点为21℃以上但小于200℃的有机溶剂和水的至少一种。
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公开(公告)号：CN105849914B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201480071319.1
申请日：2014-12-16
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L51/50
摘要： p‑型氧化物半导体，其包括：包含铊(Tl)的金属氧化物，其中所述金属氧化物已经被空穴掺杂。
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公开(公告)号：CN106611795A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201610915838.2
申请日：2016-10-20
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/51 , H01L27/12
CPC分类号： G09G3/3225 , G09G3/3406 , G09G3/344 , G09G3/348 , G09G3/3648 , G09G2300/0417 , G09G2310/0264 , H01L27/1225 , H01L27/1237 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/7869 , H01L29/786 , H01L27/1214 , H01L29/517
摘要： 本发明涉及场效应晶体管，显示元件，图像显示装置,系统以及场效应晶体管的栅绝缘层的组成物。提供难以产生因热处理而引起的在栅电极、源电极、漏电极和栅绝缘膜之间的剥离的场效应晶体管。本发明的场效应晶体管包括：用于施加栅电压的栅电极；用于取出电流的源电极和漏电极；与上述源电极和漏电极邻接设置的半导体层；以及设于上述栅电极和上述半导体层之间的栅绝缘层；上述场效应晶体管的特征在于:上述栅绝缘层包括含有Si及一种或多种碱土类金属元素的氧化物。
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公开(公告)号：CN108886058B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201780018536.8
申请日：2017-03-16
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/30 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/14
摘要： 一种场效应晶体管，具有：栅电极，用于施加栅极电压；源电极和漏电极，用于传输电信号；有源层，其形成在所述源电极和漏电极之间；和栅极绝缘层，其形成在所述栅电极和有源层之间，所述场效应晶体管的特征在于，所述有源层包括至少两种氧化物层，层A和层B；并且所述有源层满足以下条件(1)和/或条件(2)。条件(1)：所述有源层包括3个或更多个氧化物层，其包括2个或更多个层A。条件(2)：所述层A的带隙低于所述层B的带隙，且所述层A的氧亲和力等于或高于所述层B的氧亲和力。
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公开(公告)号：CN108780756B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201780017476.8
申请日：2017-03-14
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/316 , H01L21/368 , H01L29/786
摘要： 提供了一种用于制造场效应晶体管的方法，所述场效应晶体管具有在所述第一氧化物层和第二氧化物层彼此相邻的区域中的前沟道或后沟道，所述方法包括：氧化物层形成步骤，用于形成是第二氧化物层的前体的第二前体层，以便与是第一氧化物层的前体的第一前体层相邻，然后将所述第一前体层和第二前体层分别转换为所述第一氧化物层和第二氧化物层，其中所述氧化物层形成步骤包括如下限定的处理(I)和(II)中的至少一个：(I)处理：用于涂覆能够形成第一氧化物前体并含有溶剂的涂布液；然后除去溶剂，由此形成第一前体层；和(II)处理：用于涂覆能够形成第二氧化物前体并含有溶剂的涂布液；除去溶剂，由此形成第二前体层。
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公开(公告)号：CN108028270B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201680053386.X
申请日：2016-09-09
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/786
摘要： 用于形成n‑型氧化物半导体膜的涂布液，所述涂布液包括：A组元素，其为选自如下的至少一种：Sc、Y、Ln、B、Al、和Ga；B组元素，其为如下的至少一种：In和Tl；C组元素，其为选自如下的至少一种：第4族元素、第5族元素、第6族元素、第7族元素、第8族元素、第9族元素、第10族元素、第14族元素、第15族元素、和第16族元素；和溶剂。
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公开(公告)号：CN107204291B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201710153480.9
申请日：2017-03-15
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L21/34 , H01L21/8242 , H01L27/11521
摘要： 本发明涉及场效应晶体管、存储和显示元件、显示装置和系统的制法。用于制造包括栅绝缘层、活性层、和钝化层的场效应晶体管的方法。所述方法包括形成所述栅绝缘层的第一过程；和形成所述钝化层的第二过程。所述第一过程和所述第二过程的至少一个包括：形成包含镓、钪、钇、和镧系元素的至少一种以及碱土金属的第一氧化物；和通过使用包含盐酸、草酸、硝酸、磷酸、乙酸、硫酸、和过氧化氢水的至少一种的第一溶液蚀刻所述第一氧化物。
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公开(公告)号：CN110289311A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910193477.9
申请日：2019-03-14
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L29/51 , H01L21/288 , H01L29/786
摘要： 本发明涉及一种形成氧化物的涂布液、制造氧化物膜的方法和制造场效应晶体管的方法。所述涂布液包含：A元素，所述A元素是至少一种碱土金属；和B元素，所述B元素是选自由镓(Ga)、钪(Sc)、镱(Y)和镧系元素所组成的组中的至少一种，其中，当所述A元素的总浓度由CA mg/L来表示并且所述B元素的总浓度由CB mg/L来表示时，所述涂布液中的钠(Na)和钾(K)的总浓度为(CA+CB)/103mg/L或更小并且所述涂布液中的铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)和铜(Cu)的总浓度为(CA+CB)/103mg/L或更小。
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公开(公告)号：CN109478560A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780044106.3
申请日：2017-07-14
申请人： 株式会社理光
IPC分类号： H01L29/45 , H01L29/66 , H01L29/786
摘要： 一种场效应晶体管，包括：栅电极，其构造为施加栅电压；源电极和漏电极，其构造为将电流输出；有源层，其设置在源电极和漏电极之间并由氧化物半导体形成；和栅极绝缘层，其设置在栅电极和有源层之间，源电极和漏电极各自包括由金属形成的金属区域和由一种或多种金属氧化物形成的氧化物区域，以及源电极和漏电极的每个中的氧化物区域的一部分与有源层接触，并且氧化物区域的其余部分与除有源层之外的一个或多个部件接触。
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