本发明涉及封装式射频RF功率放大器。本发明还涉及用于该功率放大器中的半导体芯片，以及包括该半导体芯片和/或功率放大器的电子设备或电子系统。根据本发明，半导体芯片包括与第一漏极接合组件间隔开设置并且电连接至第一漏极接合组件的第二漏极接合组件。其中，相比于第一漏极接合组件，第二漏极接合组件更靠近半导体芯片的输入侧。RF功率放大器包括在第一漏极接合组件与输出引线之间延伸的第一组多个接合线以及从第二漏极接合组件延伸至接地电容器的第一端的第二组多个接合线。