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公开(公告)号：CN110034736A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811519727.5
申请日：2018-12-12
申请人： 安普林荷兰有限公司
发明人： 罗伯·马蒂兹·赫里斯 , 弗雷尔克·范瑞哲
摘要： 本发明涉及封装式射频RF功率放大器。本发明还涉及用于该功率放大器中的半导体芯片，以及包括该半导体芯片和/或功率放大器的电子设备或电子系统。根据本发明，半导体芯片包括与第一漏极接合组件间隔开设置并且电连接至第一漏极接合组件的第二漏极接合组件。其中，相比于第一漏极接合组件，第二漏极接合组件更靠近半导体芯片的输入侧。RF功率放大器包括在第一漏极接合组件与输出引线之间延伸的第一组多个接合线以及从第二漏极接合组件延伸至接地电容器的第一端的第二组多个接合线。
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公开(公告)号：CN110034736B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201811519727.5
申请日：2018-12-12
申请人： 安普林荷兰有限公司
发明人： 罗伯·马蒂兹·赫里斯 , 弗雷尔克·范瑞哲
摘要： 本发明涉及封装式射频RF功率放大器。本发明还涉及用于该功率放大器中的半导体芯片，以及包括该半导体芯片和/或功率放大器的电子设备或电子系统。根据本发明，半导体芯片包括与第一漏极接合组件间隔开设置并且电连接至第一漏极接合组件的第二漏极接合组件。其中，相比于第一漏极接合组件，第二漏极接合组件更靠近半导体芯片的输入侧。RF功率放大器包括在第一漏极接合组件与输出引线之间延伸的第一组多个接合线以及从第二漏极接合组件延伸至接地电容器的第一端的第二组多个接合线。
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公开(公告)号：CN107644852B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201710601968.3
申请日：2017-07-21
申请人： 安普林荷兰有限公司
发明人： 约翰内斯·A·M·德波特 , 弗雷尔克·范瑞哲 , 约尔丹·康斯坦丁诺夫·斯蒂什塔洛夫
IPC分类号： H01L23/31
摘要： 公开了一种用于RF功率放大器封装件的集成无源器件。本发明涉及一种射频(RF)功率晶体管封装件。本发明还涉及一种包括这种RF功率晶体管封装件的移动电信基站，并且涉及一种适用于RF功率放大器封装件的集成无源管芯。根据本发明，使用了封装件内阻抗网络，该阻抗网络连接至布置在封装件内部的RF功率晶体管的输出端。该网络包括：第一电感元件，具有第一端子和第二端子，该第一端子电连接至RF晶体管的输出端；谐振单元，电连接至第一电感元件的第二端子；以及第二电容元件，电连接在谐振单元和地之间。根据本发明，第一电容元件与第二电容元件串联布置。
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公开(公告)号：CN107644852A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710601968.3
申请日：2017-07-21
申请人： 安普林荷兰有限公司
发明人： 约翰内斯·A·M·德波特 , 弗雷尔克·范瑞哲 , 约尔丹·康斯坦丁诺夫·斯蒂什塔洛夫
IPC分类号： H01L23/31
CPC分类号： H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6655 , H01L2223/6672 , H01L2224/48137 , H01L2224/49176 , H01L2924/10253 , H01L2924/1033 , H01L2924/13091 , H01L2924/19011 , H01L2924/19015 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19051 , H01L2924/19105 , H03F1/0288 , H03F1/3205 , H03F1/565 , H03F3/189 , H03F3/195 , H03F3/245 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/399 , H03F2200/451 , H03H7/1791 , H03H7/38
摘要： 公开了一种用于RF功率放大器封装件的集成无源器件。本发明涉及一种射频(RF)功率晶体管封装件。本发明还涉及一种包括这种RF功率晶体管封装件的移动电信基站，并且涉及一种适用于RF功率放大器封装件的集成无源管芯。根据本发明，使用了封装件内阻抗网络，该阻抗网络连接至布置在封装件内部的RF功率晶体管的输出端。该网络包括：第一电感元件，具有第一端子和第二端子，该第一端子电连接至RF晶体管的输出端；谐振单元，电连接至第一电感元件的第二端子；以及第二电容元件，电连接在谐振单元和地之间。根据本发明，第一电容元件与第二电容元件串联布置。
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