发明授权
- 专利标题: 一种离子束刻蚀用双层挡板
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申请号: CN201910322647.9申请日: 2019-04-22
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公开(公告)号: CN110047724B公开(公告)日: 2021-07-27
- 发明人: 李娜 , 胡冬冬 , 车东晨 , 陈兆超 , 侯永刚 , 程实然 , 王铖熠 , 许开东
- 申请人: 江苏鲁汶仪器有限公司
- 申请人地址: 江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路8号
- 专利权人: 江苏鲁汶仪器有限公司
- 当前专利权人: 江苏鲁汶仪器股份有限公司
- 当前专利权人地址: 221300 江苏省徐州市邳州市经济开发区辽河西路8号
- 代理机构: 南京经纬专利商标代理有限公司
- 代理商 石艳红
- 主分类号: H01J37/305
- IPC分类号: H01J37/305 ; H01J37/30
摘要:
本发明公开了一种离子束刻蚀用双层挡板,设置在位于离子源与晶圆之间的刻蚀反应腔体内,用于阻挡离子源射向晶圆的离子束;双层挡板包括平行并列设置且能同步转动的前挡板和后挡板,其中,前挡板邻近离子源的栅格网,后挡板邻近晶圆;前挡板和后挡板的面积均大于格栅网的面积;前挡板上设置有若干个贯通的溅射网孔。前挡板上溅射网孔的Z向纵截面为长条形、圆形、正方形、三角形、椭圆形、多边形或同心环形中的一种或组合。本发明采用两层挡板的设计,能减少所有可能会溅射进离子源内部的导电材料,保护了离子源不受伤害。
公开/授权文献
- CN110047724A 一种离子束刻蚀用双层挡板 公开/授权日:2019-07-23