公开(公告)号：CN114008749B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202080045167.3

申请日：2020-05-27

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 马修·丹尼斯·埃文斯 ,  克里斯托弗·艾迪生·弗劳尔斯 ,  约翰·德鲁厄里

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/24 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32

Abstract: 描述了用于补偿射频(RF)功率损耗的系统和方法。方法中的一种包括进行无等离子体测试以确定与阻抗匹配电路的输出相关联的电阻。在进行无等离子体测试之后，在等离子体室中处理衬底。在衬底处理期间，确定与阻抗匹配电路的输出相关的功率损耗。功率损耗用于确定要由RF发生器输送的功率量。调整输送的功率量，直到功率损耗稳定。功率损耗的稳定有利于等离子体室中衬底和附加衬底的均匀处理。

公开(公告)号：CN114373665B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202111585443.8

申请日：2021-12-22

Applicant: 江苏鲁汶仪器股份有限公司

Inventor： 李雪冬 ,  刘海洋 ,  刘小波 ,  朱小庆 ,  许开东 ,  陈璐

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明公开了一种具有终点检测功能的离子束刻蚀系统，离子束刻蚀系统包括载台和聚焦环；载台包括晶圆承载面、厂务连接板和载台座，聚焦环包括固定部、环体和台阶部，环体通过固定部固定于载台上，台阶部下表面与环体外径相连，台阶部上表面高于晶圆上表面；终点检测装置包括信号收集探头、信号传输线和信号处理器；信号收集探头的采集端放置在台阶部的孔内，信号收集探头的数据输出端与信号传输线连接，信号收集探头对临近晶圆处的实时光谱信号进行实时采集，并将采集结果经由信号传输线发送至信号处理器，信号处理器根据实时光谱信号计算得到相应的产物基团浓度。本发明能够提高终点检测信号强度、稳定性和重复性，并且不会影响腔室内真空。

公开(公告)号：CN115485823B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202180032899.3

申请日：2021-04-13

Applicant: 应用材料股份有限公司

Inventor： 凯文·R·安葛林 ,  赛门·罗芙尔

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01J37/305

Abstract: 揭示一种用于以均匀的方式蚀刻工件的工件托座与蚀刻系统及方法。所述系统包括产生带状离子束的半导体处理系统及扫描工件通过带状离子束的工件托座。工件托座包括多个独立控制的热区，从而可分开地控制工件的不同区域的温度。在某些实施例中，蚀刻速率均匀性可以是距工件中心的距离的函数，也称为径向不均匀性。此外，当扫描工件时，在平移方向上也可能存在蚀刻速率均匀性问题，称为线性不均匀性。本发明的工件托座包括多个独立控制的热区，以补偿径向及线性蚀刻速率的不均匀性。

公开(公告)号：CN119381233A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202411607457.9

申请日：2019-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 舆水地盐

IPC: H01J37/248 ,  H01J37/305 ,  H01J37/32

Abstract: 在示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置中，高频电源产生为了生成等离子体而被供给的高频电力。偏置电源向基板支承器的下部电极供给偏置电力。偏置电力在该周期内使基板的电位变动。高频电力在基板的电位相对较高的周期内的第1期间内的至少一部分期间内供给。高频电力的功率电平在基板的电位相对较低的周期内的第2期间内降低。在第1期间及第2期间，鞘调节器调节在边缘环上方的鞘的上端在铅垂方向上的位置。

公开(公告)号：CN119343735A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202380048937.3

申请日：2023-06-13

Applicant: 株式会社IIPT

Inventor： 登木口克己 ,  花园胜巳 ,  泻冈泉

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/04 ,  H01J37/12 ,  H01J37/248 ,  H01J37/305 ,  H01J27/20

Abstract: 提供了一种GCIB装置，其能够改变要发射的离子的能量，而不改变：在特定电压下优化的提取电极布置；具有永磁型磁体的GCIB装置的电极布置，用于使用所述电压有效地去除单价单体离子；或永磁型磁体的磁场强度。除了第一高电压电源（22a）至第三高电压电源（22c）外，GCIB装置还设有产生正高电压或负高电压的另一高电压电源（22d），以及另一高电压施加电路（27），该另一高电压施加电路（27）从高电压电源（22d）向提取电极（7）的接地电极部分和静电透镜（9a、9b）的接地电极部分施加另一正高电压或负高电压。

公开(公告)号：CN119301726A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202380043601.8

申请日：2023-05-05

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： A·布克斯鲍姆 ,  R·皮丘马尼 ,  D·科洛奇科夫 ,  E·福卡 ,  T·科布 ,  J·T·纽曼

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/28 ,  H01J37/305

Abstract: 一种获得晶片的测量部位的一序列相互平行的多个剖面图像的方法，该方法包括以下步骤：1a)以一重合配置提供聚焦离子束(FIB)柱和带电粒子束(CPB)成像柱，在该重合配置中，该FIB柱的FIB光轴和该CPB成像柱的CPB光轴在晶片表面重合，并且该FIB光轴和该CPB光轴之间形成配置角度GFE；1b)在该重合配置中，使用该FIB柱去除该晶片的测量部位的剖面表面层，以形成可用于成像的新剖面；1c)在沿着该CPB成像柱的轴的方向上缩短该CPB成像柱与该晶片表面之间的工作距离；1d)在缩短的该工作距离处且因此不在该重合配置中，以该CPB成像柱对该晶片的该测量部位处的该新剖面进行成像；1e)在沿着该CPB成像柱的轴的方向上增加该CPB成像柱与该晶片表面之间的该工作距离，直到达成该重合配置。

公开(公告)号：CN114023687B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202111290568.8

申请日：2021-11-02

Applicant: 浙江光特科技有限公司

Inventor： 万远涛 ,  廖世容 ,  况诗吟

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明公开了一种用于探测器的干法刻蚀装置，用于对晶圆干法刻蚀加工，包括：一刻蚀腔体，其敞口设置；一刻蚀组件，设置于所述刻蚀腔体内；一进气箱，与所述刻蚀腔体连通；一抽真空设备，与所述刻蚀腔体连通；多个夹持部，用于夹持所述晶圆；一动力部，用于带动所述夹持部进入或脱离所述刻蚀腔体的上方区域；一封闭环；一驱动部，用于带动所述封闭环移动，以将所述夹持部与所述刻蚀腔体的密封。在刻蚀加工完成后，停止作业。利用驱动部带动密封环下降，利用动力部带动夹持部移开，让另一个夹持部、晶圆位于刻蚀腔体的上方，再次进行重复刻蚀作业。能够连续不断进行刻蚀加工作业，效率高。

公开(公告)号：CN119234294A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202380041684.7

申请日：2023-05-25

Applicant: 纽富来科技股份有限公司

Inventor： 加藤靖雄 ,  川名亮

IPC: H01L21/027 ,  H01J37/147 ,  H01J37/30 ,  H01J37/302 ,  H01J37/305

Abstract: 本发明的一方式的多带电粒子束描绘装置的特征在于，具备：射束形成机构，形成多带电粒子束；缺陷校正数据制作电路，与用于描绘的描绘图案无关地使用剂量分布来制作缺陷校正数据，该剂量分布以同样的剂量定义与多带电粒子束整体的照射区域对应的试样面上的单位区域的各位置，该缺陷校正数据定义剂量调制率，该剂量调制率用于将多带电粒子束中的成为始终射束截止的缺陷射束所负责的位置的剂量向其他一个以上的像素分配从而进行校正；存储装置，存储缺陷校正数据；剂量运算电路，针对每个描绘图案，对与该描绘图案相应的试样上的各位置的单独的剂量进行运算；剂量校正电路，针对每个描绘图案，从存储装置读出缺陷校正数据，通过剂量分配来校正与该描绘图案相应的试样上的各位置的单独的剂量，获得校正后的剂量，剂量分配使用了对所读出的缺陷校正数据中定义的剂量调制率乘以试样上的各位置的单独的剂量而得到的值；以及描绘机构，使用以校正后的剂量照射的所述多带电粒子束，在所述试样上描绘所述描绘图案。

公开(公告)号：CN119230364A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410856640.6

申请日：2024-06-28

Applicant: 日本电子株式会社

Inventor： 小冢心寻

IPC: H01J37/305 ,  G06T11/20

Abstract: 提供一种能够容易地决定合适的加工条件的试样加工系统。试样加工系统包含：试样加工装置，其对试样照射离子束来加工所述试样；以及图像生成装置，其生成使用所述试样加工装置以所设定的加工条件加工了所述试样的情况下的预测图像，所述预测图像包含所述离子束的照射方向的分布的信息。

公开(公告)号：CN111562149B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202010064575.5

申请日：2020-01-20

Applicant: 日本株式会社日立高新技术科学

Inventor： 铃木将人 ,  中谷郁子 ,  富松聪 ,  佐藤诚

IPC: G01N1/28 ,  G01N1/32 ,  G01N23/2005 ,  H01J37/02 ,  H01J37/20 ,  H01J37/305

Abstract: 提供薄膜试样片制作方法和带电粒子束装置，能够抑制薄膜试样片的缺损。具有如下工序：从与试样(S)的表面的法线方向(z)交叉的第2方向照射会聚离子束(FIB2)而对试样(S)进行加工，从而制作出薄膜试样片(1)，并且制作出配置于试样(S)薄膜试样片(1)的厚度方向(x)的一侧并使薄膜试样片(1)连接于试样(S)的连结部(3)的工序；使试样(S)绕法线方向(z)旋转的工序；使对薄膜试样片(1)进行保持的探针连接于薄膜试样片(1)的工序；以及从与法线方向(z)交叉的第3方向向连结部(3)照射会聚离子束(FIB3)从而使薄膜试样片(1)从试样(S)分离出来的工序。