Invention Grant
- Patent Title: 用于动态随机存取存储器的电阻器
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Application No.: CN201810076676.7Application Date: 2018-01-26
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Publication No.: CN110085574BPublication Date: 2020-11-03
- Inventor: 永井享浩
- Applicant: 联华电子股份有限公司 , 福建省晋华集成电路有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹市
- Assignee: 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- Current Assignee: 联华电子股份有限公司,福建省晋华集成电路有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹市
- Agency: 北京市柳沈律师事务所
- Agent 陈小雯
- Main IPC: H01L23/64
- IPC: H01L23/64
Abstract:
本发明公开一种用于动态随机存取存储器的电阻器，包含一基底，其上界定有存储单元区与周边区、以及一电阻器位于该基底的浅沟槽隔离结构上，该电阻器具有一绕线部位以及位于该绕线部位两端的端点部位，该端点部位分别经由接触结构与一上层金属层电连接，其中该端点部位由下而上包含一多晶硅层以及多个金属层。
Public/Granted literature
- CN110085574A 用于动态随机存取存储器的电阻器 Public/Granted day:2019-08-02
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IPC分类:
