发明授权
CN110108760B 一种H2S气敏元件及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种H2S气敏元件及其制备方法
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申请号： CN201910408125.0申请日： 2019-05-15
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公开(公告)号： CN110108760B公开(公告)日： 2020-10-09
- 发明人: 沈岩柏 , 周鹏飞 , 张威 , 钟祥熙 , 赵思凯 , 高淑玲 , 刘文刚 , 魏德洲 , 魏可峰
- 申请人： 东北大学
- 申请人地址： 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
- 专利权人： 东北大学
- 当前专利权人： 东北大学
- 当前专利权人地址： 辽宁省沈阳市和平区文化路三巷11号
- 代理机构： 大连东方专利代理有限责任公司
- 代理商 赵淑梅; 李馨
- 主分类号： G01N27/12
- IPC分类号： G01N27/12 ; B82Y15/00 ; B82Y30/00
摘要：
本发明提供一种基于Zn元素掺杂α‑Fe2O3纳米棒的气敏元件及其制备方法，以黄铁矿为原料，通过化学浸出法得到含Fe3+的浸出液来合成α‑Fe2O3纳米材料，再通过向前驱液中掺入Zn元素以制备出灵敏度较高、选择性较好的新型α‑Fe2O3基气敏材料，然后将掺杂Zn元素的α‑Fe2O3基气敏材料通过浆液的形式均匀涂覆到电极元件表面得到气敏元件，克服现有α‑Fe2O3气敏材料制备成本高、灵敏度低及选择性差等方面存在的问题。
公开/授权文献
- CN110108760A 一种基于Zn离子掺杂α-Fe2O3纳米棒的气敏元件及其制备方法 公开/授权日：2019-08-09
