本发明公开了一种基于量子点阵列的紫外量子点发光二极管及制备方法，主要解决现有紫外量子点发光二极管可靠性差、效率低和寿命不稳定的问题。其自下而上包括：衬底层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN单量子点层、p型AlzGa1‑zN层和电极，该n型AlxGa1‑xN层上设有直径为20‑150nm、高度为2‑35nm的量子点阵列，AlyGa1‑yN单量子点层位于量子点阵列上，以提高量子点发光二极管的可靠性和寿命稳定性。本发明使用氧化硅纳米球阵列为掩模，通过ICP蚀刻技术得到均匀分布的量子点阵列，在量子点阵列上直接生长量子点，提高了器件的可靠性和稳定性，可用于紫外及深紫外发光设备中。