- 专利标题： 锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途
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申请号： CN201910483748.4申请日： 2019-05-31
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公开(公告)号： CN110202419A公开(公告)日： 2019-09-06
- 发明人: 拉贾拉姆·谢蒂 , 王元立 , 刘卫国 , 周雯婉 , 朱颂义
- 申请人： 北京通美晶体技术有限公司
- 申请人地址： 北京市通州区工业开发区东二街四号
- 专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
- 当前专利权人： 北京通美晶体技术有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市通州区工业开发区东二街四号
- 代理机构： 北京北翔知识产权代理有限公司
- 代理商 刘文静; 钟守期
- 主分类号： B24B1/00
- IPC分类号： B24B1/00 ; B24B9/06 ; B28D5/00 ; C30B11/02 ; C30B29/08 ; H01L29/06 ; H01L29/16
摘要：
本发明涉及锗单晶片，其包含原子浓度为3×1014atoms/cc至10×1018atoms/cc的硅、原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1018atoms/cc的硼以及原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1019atoms/cc的镓。本发明还涉及该锗单晶片的制法、锗单晶棒的制法，以及涉及锗单晶片用于增加太阳能电池开路电压的用途。本发明的获得的锗单晶片具有改进的电学性能，特别是具有更小的电阻率差和载流子浓度差。
公开/授权文献
- CN110202419B 锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途 公开/授权日：2021-10-19