公开(公告)号：CN102898951A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210333650.9

申请日：2012-09-10

申请人： 北京通美晶体技术有限公司

发明人： 刘建志 ,  吴怀东 ,  刘文森 ,  赵波 ,  刘征

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/304

摘要： 本发明涉及一种用于半导体晶片抛光药液的组合物，包括次氯酸锂、碳酸氢盐和硅溶胶。本发明还涉及了一种包括所述组合物的抛光药液以及制备方法。本发明提供的抛光药液可以针对（111）特殊角度的半导体晶片，以达到光滑均匀，没有腐蚀坑、孔洞等缺陷的优异晶片表面。本发明提供的抛光药液可作为通用性抛光药液，而且原料价廉易得、降低了药液成本，具有广阔的市场应用价值。

公开(公告)号：CN102272361A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200980154326.7

申请日：2009-11-09

申请人： AXT公司

发明人： 刘卫国

IPC分类号： C30B29/08 ,  C30B15/20

摘要： 公开了关于单晶锗(Ge)生长的系统、方法和衬底。在一个示例性实施方案中，提供了一种生长单晶锗(Ge)晶体的方法。此外，所述方法可包括将第一Ge原料装入一个坩埚中，将第二Ge原料装入一个用以补充Ge熔体材料的容器中，将所述坩埚和容器密封在所述安瓿内，将带有坩埚的安瓿放入一个晶体生长熔炉中，以及熔化第一Ge原料和第二Ge原料，并控制熔体的结晶温度梯度以可重复地提供具有改进/所需性能的单晶锗晶锭。

公开(公告)号：CN1303263C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN98811320.1

申请日：1998-11-20

申请人： AXT有限公司

发明人： 肖留 ,  朱萌

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/00

CPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/42

摘要： 在砷化镓单晶锭的垂直舟生长中，将预定数量的粉末石墨包含在炉料中，以直接确立生长晶锭中有关的预计目标电学特征。电学特征相应于生长晶锭中的碳的浓度。

公开(公告)号：CN110202419A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910483748.4

申请日：2019-05-31

申请人： 北京通美晶体技术有限公司

发明人： 拉贾拉姆·谢蒂 ,  王元立 ,  刘卫国 ,  周雯婉 ,  朱颂义

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B9/06 ,  B28D5/00 ,  C30B11/02 ,  C30B29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

摘要： 本发明涉及锗单晶片，其包含原子浓度为3×1014atoms/cc至10×1018atoms/cc的硅、原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1018atoms/cc的硼以及原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1019atoms/cc的镓。本发明还涉及该锗单晶片的制法、锗单晶棒的制法，以及涉及锗单晶片用于增加太阳能电池开路电压的用途。本发明的获得的锗单晶片具有改进的电学性能，特别是具有更小的电阻率差和载流子浓度差。

公开(公告)号：CN102797032A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201210257159.2

申请日：2002-07-03

申请人： AXT公司 ,  北京通美晶体技术有限公司

发明人： X·G·刘 ,  W·G·刘

IPC分类号： C30B11/00

CPC分类号： C30B27/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/04 ,  C30B11/12 ,  C30B29/42 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/1092

摘要： 本发明为具有坚固支撑、碳掺杂、电阻率控制和热梯度控制的半导体晶体生长的方法和装置。在含有一个坚固密封的安瓿瓶及与原料非物质接触以掺碳的系统中，在电阻加热控制和热梯度控制下，在晶体生长炉内生长Ⅲ-Ⅴ，Ⅱ-Ⅵ族及其相关单晶化合物晶体。提供了一个以坚固圆柱体来支撑装有坩埚且密封的安瓿瓶的组合体，同时圆柱体中填充有低密绝缘物质用来阻止热传导和热对流。在低密物质的中间打有热辐射通道用来提供热辐射的路径，通过这条通道，热可以进出籽井区域和晶体生长坩埚的传热区域。在籽井的下方由绝缘物质形成中空的芯区，为生长中的晶体提供了冷却条件。这就确保了系统中能生长出均匀的大体积晶体，同时还保证了生长中的晶体和熔液的固液界面平滑，进而使得晶体具有均匀的电特性。

公开(公告)号：CN102220628A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110144303.7

申请日：2002-07-03

申请人： AXT公司 ,  北京通美晶体技术有限公司

发明人： X·G·刘 ,  W·G·刘

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B35/00 ,  C30B29/42

CPC分类号： C30B27/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/04 ,  C30B11/12 ,  C30B29/42 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/1092

摘要： 本发明涉及一种生长半导体晶体的装置。在封闭安瓿的坚固支座、碳掺杂和电阻控制、及温度控制条件下，在晶体生长炉中生长Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族及其相关单晶化合物。支座圆筒对于组合的封闭的安瓿和坩埚组件提供了支撑，同时该支座圆筒内的低密度绝缘材料阻碍了传导和对流加热。穿透低密度材料的热辐射通道对于热辐射进出坩埚的籽井和过渡区提供了路径。在绝缘材料中的中空的芯直接位于籽井的下方，为生长中的晶体的中央提供了冷却，其确保了晶体结晶块均匀而平滑地生长，同时还保证了晶体和熔体分界面的平滑，进而产生具有均匀电特性的圆片。

公开(公告)号：CN101555620A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200810089545.9

申请日：2008-04-07

申请人： AXT公司

发明人： W·刘 ,  G·A·艾里奥特

IPC分类号： C30B11/00 ,  F27B14/04 ,  F27B14/06

CPC分类号： C30B11/007 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B29/42 ,  C30B35/00 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/1056 ,  Y10T117/1068

摘要： 本发明公开一种采用VGF和VB生长工艺进行晶体生长的系统和方法减少体嵌晶。在一个示例性的实施例中，提供一种将装有原材料的安瓿插入到具有加热源的炉中，采用垂直梯度凝固工艺生长晶体，其中所述结晶温度梯度可以相对于所述晶体和/或炉移动，从而熔化所述原材料并转化成单晶化合物，以及采用垂直布里奇曼工艺在坩埚上生长晶体，其中所述安瓿/加热源可以进行相对移动，以继续熔化所述原材料并转化成单晶化合物。

公开(公告)号：CN111455451A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010275519.6

申请日：2013-03-27

申请人： 北京通美晶体技术有限公司

发明人： 莫里斯·杨 ,  戴维斯·张 ,  刘文森 ,  王元立

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B11/14 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/44 ,  C30B33/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36

摘要： 本发明公开了一种控制III-V族化合物半导体衬底中的氧浓度的方法，包括：在密闭容器中放置多个III-V族化合物半导体衬底；并在所述密闭容器中放置预定量材料，用以调控密闭容器中单晶衬底中的氧浓度。所述预定量的材料对氧具有高度的化学反应性。所述方法还包括保持所述容器内的预定空气压力，以及对所述多个III-V族单晶衬底进行退火，促使所述预定压力空气内的氧原子在所述晶体衬底中进行扩散而产生可控制的氧浓度。所述III-V族化合物半导体衬底中的氧浓度由所述预定量的材料来调控。

公开(公告)号：CN109290875A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201710612344.1

申请日：2017-07-25

申请人： 北京通美晶体技术有限公司

发明人： 王留刚 ,  李海淼 ,  朱颂义

IPC分类号： B24B7/22 ,  B24B37/10 ,  C30B33/10 ,  C30B29/40

摘要： 本发明涉及一种{100}磷化铟(InP)晶片，其背面分布有凹坑，其中背面凹坑的突起的最大维度为65微米，凹坑的最大深度为6.0微米。本发明还涉及该{100}磷化铟(InP)晶片的制备方法以及制备该{100}磷化铟(InP)晶片的腐蚀液。本发明的{100}磷化铟(InP)晶片背面分布有凹坑，在外延生长中受热均匀，应用效果好。

公开(公告)号：CN105082376A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510240967.1

申请日：2015-05-13

申请人： 北京通美晶体技术有限公司

发明人： 刘丽杰 ,  洪庆福 ,  赵波 ,  王元立 ,  刘文森

IPC分类号： B28D5/00 ,  C09K13/00 ,  C09K3/14

摘要： 切割砷化镓初始晶片的方法及制备砷化镓晶片的方法，本发明涉及一种切割GaAs初始晶片的方法，包括：由直径不超过6英寸的GaAs晶棒切割出厚度为240-350微米的初始晶片，所述切割采用切割机在泥浆的存在下进行，所述泥浆由粉末物质和切割油混合配置而成，其特征在于，所述泥浆的粘度为300-1500mPa·s。本发明还涉及将本发明的方法切割的GaAs初始晶片制备为GaAs晶片的方法，包括：切割GaAs初始晶片、对初始晶片倒角及对倒角后的初始晶片进行表面处理、粗抛光和精抛光，所述切割GaAs初始晶片根据本发明的切割GaAs初始晶片的方法进行。本发明的制备GaAs晶片的方法降低了晶片在切割和表面处理过程中破损的风险，提高了成品率。