本发明提供一种薄膜沉积方法，其包括：预处理步骤，向反应腔室内通入工艺气体和能够去除晶片表面上的杂质的预处理气体；第一沉积步骤，停止通入预处理气体，并继续向反应腔室内通入工艺气体，且开启激励电源，向靶材施加激励功率，以在晶片上形成缓冲层；第二沉积步骤，提高激励功率，并开启偏压电源，向基座施加偏压功率，以在晶片上形成薄膜；后处理步骤，关闭激励电源和偏压电源，并停止向反应腔室内通入工艺气体，同时向反应腔室内通入能够提高薄膜的性能的后处理气体。本发明提供的薄膜沉积方法，其不仅可以降低薄膜的电阻率，实现薄膜应力的调节，而且还可以增大工艺窗口，扩大应用范围。