公开(公告)号：CN109735822B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201811354815.4

申请日：2018-11-14

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 王磊 ,  张超 ,  耿波 ,  罗建恒 ,  赵康宁 ,  邱国庆 ,  田西强

IPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/35 ,  H01L21/67

摘要： 公开了一种反应腔室和半导体设备，反应腔室包括：腔室主体；设置在腔室主体内的基座组件，所述基座组件包括金属加热盘以及用于接地的接地盘，金属加热盘具有用于承载基片的承载面；处理组件，包括围绕承载面的外沉积环，处理组件用于与基座组件配合形成工艺区域，其中，反应腔室还包括接地环，连接至外沉积环以及所述接地盘之间，用于在处理组件与基座组件配合形成工艺区域时提供外沉积环至接地盘的接地路径，可有效解决使用金属材质的加热盘时外沉积环放电而引发打火现象，有利于提高镀膜效果。

公开(公告)号：CN110819948A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201810924008.5

申请日：2018-08-14

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 张同文 ,  罗建恒 ,  耿波 ,  武学伟

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/08

摘要： 本发明提供一种制膜方法，其包括：第一溅射阶段，向靶材加载射频功率，以在晶片表面上形成保护层；第二溅射阶段，同时向靶材加载射频功率和直流功率，以在保护层上形成薄膜。本发明提供的制膜方法，其可以减少对晶片表面造成损伤，从而可以提高产品性能。

公开(公告)号：CN107154330B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201610124589.5

申请日：2016-03-04

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 杨玉杰 ,  罗建恒 ,  耿波 ,  张同文

IPC分类号： H01J25/50 ,  H01J23/02 ,  C23C14/35

摘要： 本发明提供的磁控管及应用该磁控管的磁控溅射设备，其包括极性相反的外磁极和内磁极，其中，外磁极和内磁极的形状满足：使内磁极的总磁通量与外磁极的总磁通量的差值在预设范围内。本发明提供的磁控管，其不仅可以提高薄膜厚度的均匀性，而且可以降低靶材溅射电压，从而可以减少器件表面形成的损伤。

公开(公告)号：CN108796459A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710298706.4

申请日：2017-04-27

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 张同文 ,  耿波 ,  高攀 ,  罗建恒 ,  武学伟 ,  王厚工

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本发明提供一种薄膜沉积方法，其包括：第一阶段，使基座位于第一工艺位置，向工艺腔室内通入工艺气体，并仅开启射频电源，以在晶片表面沉积形成预设厚度的薄膜；第二阶段，使基座位于第二工艺位置，并开启直流电源，以使该薄膜达到目标厚度；其中，第一工艺位置低于第二工艺位置。本发明提供的薄膜沉积方法，其通过在第一阶段仅加载射频功率，可以避免产生的靶材颗粒的能量过大，造成晶片表面损伤，同时通过使第一工艺位置低于第二工艺位置，可以在仅加载射频功率的条件下，保证溅射速率满足工艺要求。

公开(公告)号：CN118547258A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410592739.X

申请日：2024-05-13

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 朱超 ,  罗建恒 ,  杨依龙 ,  赵康宁 ,  康广杰

IPC分类号： C23C14/50 ,  H01L21/687

摘要： 本申请实施例提供了一种半导体工艺腔室，其包括：腔体、屏蔽件、挡环、压环组件和支撑组件；屏蔽件承载于腔体的上端部，腔体接地，屏蔽件套设于腔体内，挡环和压环组件均套设于屏蔽件内，压环组件承载于屏蔽件，挡环罩设于压环组件上方，挡环承载于屏蔽件，支撑组件用于承载晶圆；在支撑组件上升至工艺位置的情况下，支撑组件托起压环组件，压环组件的内侧边缘压盖于晶圆的周缘，压环组件分别与挡环和屏蔽件绝缘分隔。半导体工艺腔室的挡环可以对压环起到遮挡作用，以防止压环上堆积过多电荷；且压环能够在工艺流程结束后释放电荷，可以避免压环与晶圆之间发生打火现象。

公开(公告)号：CN110218984B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201910645772.3

申请日：2019-07-17

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 罗建恒 ,  耿波 ,  张超 ,  白志民

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/58

摘要： 本发明提供一种薄膜沉积方法，其包括：预处理步骤，向反应腔室内通入工艺气体和能够去除晶片表面上的杂质的预处理气体；第一沉积步骤，停止通入预处理气体，并继续向反应腔室内通入工艺气体，且开启激励电源，向靶材施加激励功率，以在晶片上形成缓冲层；第二沉积步骤，提高激励功率，并开启偏压电源，向基座施加偏压功率，以在晶片上形成薄膜；后处理步骤，关闭激励电源和偏压电源，并停止向反应腔室内通入工艺气体，同时向反应腔室内通入能够提高薄膜的性能的后处理气体。本发明提供的薄膜沉积方法，其不仅可以降低薄膜的电阻率，实现薄膜应力的调节，而且还可以增大工艺窗口，扩大应用范围。

公开(公告)号：CN108796459B

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN201710298706.4

申请日：2017-04-27

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 张同文 ,  耿波 ,  高攀 ,  罗建恒 ,  武学伟 ,  王厚工

IPC分类号： C23C14/35

摘要： 本发明提供一种薄膜沉积方法，其包括：第一阶段，使基座位于第一工艺位置，向工艺腔室内通入工艺气体，并仅开启射频电源，以在晶片表面沉积形成预设厚度的薄膜；第二阶段，使基座位于第二工艺位置，并开启直流电源，以使该薄膜达到目标厚度；其中，第一工艺位置低于第二工艺位置。本发明提供的薄膜沉积方法，其通过在第一阶段仅加载射频功率，可以避免产生的靶材颗粒的能量过大，造成晶片表面损伤，同时通过使第一工艺位置低于第二工艺位置，可以在仅加载射频功率的条件下，保证溅射速率满足工艺要求。

公开(公告)号：CN108054074A

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201810026173.9

申请日：2018-01-11

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 张超 ,  耿波 ,  罗建恒 ,  陈鹏 ,  邱国庆 ,  史全宇 ,  赵晋荣

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明的实施例提供一种基座以及包括该基座的半导体处理设备。该基座用于承载被加工工件，包括依次层叠设置的加热器、隔离层和射频电极，所述隔离层为绝缘材料，以将所述加热器和所述射频电极二者电位隔离。本发明的实施例的基座中加热器与射频电极电位隔离，减少了滤波器的使用。

公开(公告)号：CN107513692A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201710735705.1

申请日：2017-08-24

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 耿波 ,  白志民 ,  王厚工 ,  丁培军 ,  赵晋荣 ,  罗建恒 ,  张超

IPC分类号： C23C14/34

摘要： 本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种制膜方法。该制膜方法，用于在晶圆上溅射形成薄膜，包括溅射步骤：所述溅射步骤包括循环的第一溅射阶段和第二溅射阶段，从而调节所述薄膜的密度和应力，直至所述薄膜的厚度满足设定要求。该制膜方法通过向靶材施加脉冲直流溅射方式，并调节所述脉冲直流功率的占空比和/或功率值，来控制薄膜的沉积速率，实现在高功率下，增加溅射能量但并不增加薄膜的沉积速率，平衡沉积速率和溅射能量的关系，达到增加薄膜的致密性，并适当降低薄膜的沉积速率，延长薄膜工艺时间，增加生产稳定性，获得应力更大的薄膜。

公开(公告)号：CN117352360A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311278499.8

申请日：2023-09-28

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 康广杰 ,  徐奎 ,  罗建恒

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C14/35

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体工艺腔室和半导体工艺设备；该半导体工艺腔室包括腔室本体、承载装置、磁控管组件、偏置磁场组件和磁屏蔽件，偏置磁场组件设于腔室本体内，且环绕于承载装置设置；磁屏蔽件设于偏置磁场组件上方，用于对偏置磁场组件上方的偏置磁场进行导磁；以减弱偏置磁场组件与磁控管组件之间的磁场耦合。该半导体工艺设备，包括该半导体工艺腔室。该工艺腔室和半导体工艺设备，能够减弱甚至避免偏置磁场组件与磁控管组件两个磁场之间的磁场耦合叠加，尽可能保证靶材表面的等离子体浓度和溅射速率的均匀性，减少甚至避免靶材电压的异常波动，保证靶材表面的腐蚀深度的均匀性及晶圆表面所沉积的磁性薄膜的均匀性。