Invention Publication
- Patent Title: 一种压接式IGBT模块多物理场耦合仿真方法
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Application No.: CN201910501947.3Application Date: 2019-06-11
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Publication No.: CN110245414APublication Date: 2019-09-17
- Inventor: 何智鹏 , 马定坤 , 侯婷 , 姬煜轲 , 李巍巍 , 李岩 , 许树楷 , 王见鹏 , 段子越 , 苟浪中 , 王来利
- Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 西安交通大学 , 中国南方电网有限责任公司
- Applicant Address: 广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号
- Assignee: 南方电网科学研究院有限责任公司,西安交通大学,中国南方电网有限责任公司
- Current Assignee: 南方电网科学研究院有限责任公司,西安交通大学,中国南方电网有限责任公司
- Current Assignee Address: 广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号
- Agency: 西安通大专利代理有限责任公司
- Agent 李鹏威
- Main IPC: G06F17/50
- IPC: G06F17/50

Abstract:
一种压接式IGBT模块多物理场耦合仿真方法,包括以下步骤:步骤一、通过ANSYS simpleror计算压接式IGBT模块的集电极平均电流;步骤二、在ANSYS Maxwell中计算压接式IGBT模块随温度变化的发热功率;步骤三、在ANSYS steady-state thermal中计算压接式IGBT模块的内部温度分布;步骤四、在ANSYS steady-state mechanical中计算压接式IGBT模块内部应力分布。本发明能够清晰地描述各物理场间的耦合关系,得到IGBT模块实际运行中内部的温度分布以及应力分布状态,从而预测出模块内部最易失效的部分。
Public/Granted literature
- CN110245414B 一种压接式IGBT模块多物理场耦合仿真方法 Public/Granted day:2023-06-23
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