Invention Grant
- Patent Title: 用于集成电路的电磁干扰设备和方法
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Application No.: CN201910461121.9Application Date: 2016-08-22
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Publication No.: CN110263897BPublication Date: 2022-11-22
- Inventor: T·奥达斯 , A·萨拉菲亚诺斯 , S·谢奈 , F·马里内特
- Applicant: 意法半导体(鲁塞)公司
- Applicant Address: 法国鲁塞
- Assignee: 意法半导体(鲁塞)公司
- Current Assignee: 意法半导体(鲁塞)公司
- Current Assignee Address: 法国鲁塞
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 王茂华; 董典红
- Priority: 1651552 20160225 FR
- Main IPC: G06K19/073
- IPC: G06K19/073 ; G09C1/00 ; H03K5/01 ; H04K3/00 ; H04L9/00 ; H03K5/00
Abstract:
本申请涉及用于集成电路的电磁干扰设备和方法。提供一种用于干扰电磁辐射的设备，所述电磁辐射易于由位于在半导体衬底中和/或在半导体衬底上制造的集成电路的至少一个区域上方的互连区域的至少一部分所发射，所述设备包括：至少一个天线(5)，位于电路的所述至少一个区域上方；以及生成装置(4)，耦合至所述至少一个天线(5)，并且被配置为生成具有至少一个伪随机特性的电信号(SE)。
Public/Granted literature
- CN110263897A 用于集成电路的电磁干扰设备和方法 Public/Granted day:2019-09-20
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IPC分类:
