发明公开
CN110286140A 一种检测纳机电系统谐振器振动特性的方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种检测纳机电系统谐振器振动特性的方法
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申请号： CN201910576743.6申请日： 2019-06-28
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公开(公告)号： CN110286140A公开(公告)日： 2019-09-27
- 发明人: 刘云 , 苏继杰 , 成坚 , 郑幸 , 许罗婷 , 赵星龙 , 卓家靖 , 赵京山 , 易哲菁 , 肖青春
- 申请人： 中国人民解放军陆军工程大学
- 申请人地址： 湖北省武汉市珞喻东路42号
- 专利权人： 中国人民解放军陆军工程大学
- 当前专利权人： 中国人民解放军陆军工程大学
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市珞喻东路42号
- 代理机构： 武汉宇晨专利事务所
- 代理商 李鹏; 王敏锋
- 主分类号： G01N23/2055
- IPC分类号： G01N23/2055 ; G01N23/04
摘要：
本发明公开一种检测纳机电系统谐振器振动特性的方法，固定并放置单晶二维材料到真空腔室内，真空腔室抽真空；通过调节泵浦光和会聚电子探针脉冲入射单晶二维材料的延迟时间，成像探测系统监测单晶二维材料受激发后产生的菊池衍射图像，经过数据处理，获得单晶二维材料的线性纵向振动和非线性横向振动的振动频率、品质因数。本发明可得到单晶二维材料的线性纵向振动和非线性横向振动的振动频率和品质因数。
公开/授权文献
- CN110286140B 一种检测纳机电系统谐振器振动特性的方法 公开/授权日：2022-01-25