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公开(公告)号:CN110286140B
公开(公告)日:2022-01-25
申请号:CN201910576743.6
申请日:2019-06-28
申请人: 中国人民解放军陆军工程大学
IPC分类号: G01N23/2055 , G01N23/04 , G01H9/00
摘要: 本发明公开一种检测纳机电系统谐振器振动特性的方法,固定并放置单晶二维材料到真空腔室内,真空腔室抽真空;通过调节泵浦光和会聚电子探针脉冲入射单晶二维材料的延迟时间,成像探测系统监测单晶二维材料受激发后产生的菊池衍射图像,经过数据处理,获得单晶二维材料的线性纵向振动和非线性横向振动的振动频率、品质因数。本发明可得到单晶二维材料的线性纵向振动和非线性横向振动的振动频率和品质因数。
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公开(公告)号:CN110286140A
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:CN201910576743.6
申请日:2019-06-28
申请人: 中国人民解放军陆军工程大学
IPC分类号: G01N23/2055 , G01N23/04
摘要: 本发明公开一种检测纳机电系统谐振器振动特性的方法,固定并放置单晶二维材料到真空腔室内,真空腔室抽真空;通过调节泵浦光和会聚电子探针脉冲入射单晶二维材料的延迟时间,成像探测系统监测单晶二维材料受激发后产生的菊池衍射图像,经过数据处理,获得单晶二维材料的线性纵向振动和非线性横向振动的振动频率、品质因数。本发明可得到单晶二维材料的线性纵向振动和非线性横向振动的振动频率和品质因数。
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