发明公开
- 专利标题: 用于3D NAND闪存存储器的自对准型纳米点
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申请号: CN201880011449.4申请日: 2018-02-06
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公开(公告)号: CN110291634A公开(公告)日: 2019-09-27
- 发明人: 松原·君 , 索拉布·乔普拉 , 托马斯·琼万·权 , 平尔萱
- 申请人: 应用材料公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 徐金国; 赵静
- 优先权: 62/457,227 2017.02.10 US
- 国际申请: PCT/US2018/016965 2018.02.06
- 国际公布: WO2018/148170 EN 2018.08.16
- 进入国家日期: 2019-08-12
- 主分类号: H01L27/11524
- IPC分类号: H01L27/11524 ; H01L27/11529 ; H01L21/02 ; H01L21/28
摘要:
一种形成具有自对准型纳米点的3D NAND结构的方法包括:在基板上沉积交替的氧化物层和氮化物层;至少部分地将所述氮化物层做成凹处;和在所述氮化物层上形成SiGe纳米点。一种形成具有自对准型纳米点的3D NAND结构的方法包括:在基板上沉积交替的氧化物层和氮化物层;至少部分地将所述氮化物层做成凹处;和通过包括以下步骤的工艺在所述氮化物层上形成SiGe纳米点:将所述基板的温度维持在低于约560℃;使硅外延前驱物流入腔室中;在所述基板上的所述氮化物层处形成硅外延层;使锗气随所述硅外延前驱物一起流入所述腔室中;和在所述基板上的所述氮化物层处形成硅锗外延层。