公开(公告)号：CN116631865A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310649955.9

申请日：2017-01-04

申请人： 应用材料公司

发明人： 托马斯·琼万·权 ,  程睿 ,  阿布海杰特•巴苏•马利克 ,  平尔萱 ,  安在洙

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H10B43/27 ,  H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

摘要： 本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。

公开(公告)号：CN110291634A

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201880011449.4

申请日：2018-02-06

申请人： 应用材料公司

发明人： 松原·君 ,  索拉布·乔普拉 ,  托马斯·琼万·权 ,  平尔萱

IPC分类号： H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28

摘要： 一种形成具有自对准型纳米点的3D NAND结构的方法包括：在基板上沉积交替的氧化物层和氮化物层；至少部分地将所述氮化物层做成凹处；和在所述氮化物层上形成SiGe纳米点。一种形成具有自对准型纳米点的3D NAND结构的方法包括：在基板上沉积交替的氧化物层和氮化物层；至少部分地将所述氮化物层做成凹处；和通过包括以下步骤的工艺在所述氮化物层上形成SiGe纳米点：将所述基板的温度维持在低于约560℃；使硅外延前驱物流入腔室中；在所述基板上的所述氮化物层处形成硅外延层；使锗气随所述硅外延前驱物一起流入所述腔室中；和在所述基板上的所述氮化物层处形成硅锗外延层。

公开(公告)号：CN110692121B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201880034565.8

申请日：2018-05-23

申请人： 应用材料公司

发明人： 基思·塔特森·王 ,  托马斯·琼万·权 ,  肖恩·康 ,  怡利·Y·叶

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

摘要： 与用于处理在工件上的钨膜的工艺相关的方法和系统包括：将工件支撑在腔室中；将氢气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的钨膜暴露于氢气。

公开(公告)号：CN108475640B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201780006952.6

申请日：2017-01-04

申请人： 应用材料公司

发明人： 托马斯·琼万·权 ,  程睿 ,  阿布海杰特·巴苏·马利克 ,  平尔萱 ,  安在洙

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H10B43/27 ,  H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

摘要： 本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。

公开(公告)号：CN110692121A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201880034565.8

申请日：2018-05-23

申请人： 应用材料公司

发明人： 基思·塔特森·王 ,  托马斯·琼万·权 ,  肖恩·康 ,  怡利·Y·叶

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67

摘要： 与用于处理在工件上的钨膜的工艺相关的方法和系统包括：将工件支撑在腔室中；将氢气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的钨膜暴露于氢气。

公开(公告)号：CN118315268A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410244488.6

申请日：2018-05-23

申请人： 应用材料公司

发明人： 基思·塔特森·王 ,  托马斯·琼万·权 ,  肖恩·康 ,  怡利·Y·叶

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  C23C16/18

摘要： 与用于处理在工件上的钨膜的工艺相关的方法和系统包括：将工件支撑在腔室中；将氢气引入腔室中且建立至少5个大气压的压力；并且当腔室中的压力是至少5个大气压时，将工件上的钨膜暴露于氢气。

公开(公告)号：CN108475640A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780006952.6

申请日：2017-01-04

申请人： 应用材料公司

发明人： 托马斯·琼万·权 ,  程睿 ,  阿布海杰特·巴苏·马利克 ,  平尔萱 ,  安在洙

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/0338 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11582 ,  H01L28/00

摘要： 本公开内容的实施方式涉及改善的硬模材料和用于基板的图案化和蚀刻的方法。多个硬模可与图案化和蚀刻工艺共同使用以实现先进的装置架构。在一个实施方式中，第一硬模和第二硬模设置于基板上，所述基板具有设置于所述基板上的各种材料层。在第一蚀刻工艺期间可使用第二硬模以图案化第一硬模。可在第一硬模和第二硬模上沉积第三硬模，并且可使用第二蚀刻工艺以在材料层中形成通道。