发明授权
- 专利标题: 微同轴垂直互连结构及制备方法
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申请号: CN201910749336.0申请日: 2019-08-14
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公开(公告)号: CN110444971B公开(公告)日: 2020-11-24
- 发明人: 史光华 , 王建 , 徐达 , 周彪 , 常青松 , 要志宏 , 王真 , 苏彦文 , 丁珂 , 刘建更 , 杜伟 , 郭建
- 申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址: 河北省石家庄市新华区合作路113号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人地址: 河北省石家庄市新华区合作路113号
- 代理机构: 石家庄国为知识产权事务所
- 代理商 付晓娣
- 主分类号: H01R24/38
- IPC分类号: H01R24/38 ; H01R24/50 ; H01R12/73 ; H01R43/16
摘要:
本发明适用于射频/微波模块封装技术领域,提供了一种微同轴垂直互连结构,包括:垂直内导体、垂直外导体和介质连接体;垂直内导体置于垂直外导体内部,垂直内导体与垂直外导体同轴且互不接触,垂直内导体和垂直外导体均包括至少两层;介质连接体设置在垂直内导体与垂直外导体的层间,且中部位于相邻两层垂直内导体之间、边缘位于相邻两层垂直外导体之间,用于连接垂直内导体和垂直外导体。本发明提供的微同轴垂直互连结构,结构简单,通过同轴的垂直内导体和垂直外导体传输微波/毫米波信号,减少了传输损耗,提高了应用频率的范围,适用于频率范围更广的毫米波高频超宽带产品封装中的垂直互连。
公开/授权文献
- CN110444971A 微同轴垂直互连结构及制备方法 公开/授权日:2019-11-12