-
公开(公告)号：CN111276443B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010084967.8
申请日：2020-02-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明涉及微电子领域，特别涉及一种微波薄膜混合集成电路的制备方法。该方法包括：在衬底上打孔形成通孔；在器件正面和背面沉积种子层；其中，所述种子层覆盖器件正面、器件背面和通孔；通过临时填充层填充所述通孔；通过真空吸附的方法将器件固定，并在器件正面旋涂光刻胶；对器件正面进行光刻，在器件正面的预设区域形成光刻胶掩膜；其中，所述预设区域以外的区域所对应的种子层为电路图形；去除所述临时填充层；对器件进行电镀加厚处理，使所述电路图形加厚；去除所述光刻胶掩膜；去除预设区域的种子层。上述方法可以在涂覆光刻胶的步骤中使用真空吸附的方法固定器件，降低了工艺难度，且提高了成片的质量。
-
公开(公告)号：CN110444971B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910749336.0
申请日：2019-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于射频/微波模块封装技术领域，提供了一种微同轴垂直互连结构，包括：垂直内导体、垂直外导体和介质连接体；垂直内导体置于垂直外导体内部，垂直内导体与垂直外导体同轴且互不接触，垂直内导体和垂直外导体均包括至少两层；介质连接体设置在垂直内导体与垂直外导体的层间，且中部位于相邻两层垂直内导体之间、边缘位于相邻两层垂直外导体之间，用于连接垂直内导体和垂直外导体。本发明提供的微同轴垂直互连结构，结构简单，通过同轴的垂直内导体和垂直外导体传输微波/毫米波信号，减少了传输损耗，提高了应用频率的范围，适用于频率范围更广的毫米波高频超宽带产品封装中的垂直互连。
-
公开(公告)号：CN118073302A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410107344.6
申请日：2024-01-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/552 , H01L23/528 , H01L23/538 , H01L21/48 , H01L21/56 , H01L21/60
摘要： 本发明提供了一种金属化结构及其制备方法、Fanout封装器件，包括绝缘布线层、多个芯片、金属化层，以及RDL层；多个芯片分别正面贴装于绝缘布线层且相互间隔分布；金属化层连续设置于各个芯片的背面和周壁，金属化层位于任意相邻两个芯片之间的部位均形成凹槽，每个凹槽内均设有填充料；RDL层设于绝缘布线层，且具有与各个凹槽分别对齐的多个电路图形区域，至少一个电路图形区域与相应凹槽的槽底连接并导通金属化层；其中，各个芯片的背面基于金属化层和填充料形成重构平面。本发明提供的金属化结构，不仅能够实现多芯片的互联共地和均匀散热，而且还能够避免芯片间的信号串扰问题。
-
公开(公告)号：CN118016629A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410148673.5
申请日：2024-02-02
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/552 , H01L23/04 , H01L25/16 , H01L21/52
摘要： 本申请适用于微电子封装技术领域，提供了一种一体集成微同轴气密封装结构及其制造方法，该封装结构包括：基板、微同轴结构、芯片、无源器件、第一隔离墙、第二隔离墙和盖板。微同轴结构、第一隔离墙和第二隔离墙从基板生长而成；第一隔离墙生长在基板的上表面的外侧，微同轴结构和第二隔离墙生长在基板的上表面的内侧；芯片和无源器件均设置在基板的上表面上；第二隔离墙设置在开放式的无源器件和芯片的周围，隔离电磁干扰；盖板与基板、第一隔离墙形成密封空间，将微同轴结构、芯片、无源器件和第二隔离墙密封在密封空间。本申请的方法能够在实现气密封装微同轴器件的同时，解决装配精度较低，I/O互连引脚的节距大及数量少，需要在微同轴器件或基板界面设计阻焊结构的问题。
-
公开(公告)号：CN111276443A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010084967.8
申请日：2020-02-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 本发明涉及微电子领域，特别涉及一种微波薄膜混合集成电路的制备方法。该方法包括：在衬底上打孔形成通孔；在器件正面和背面沉积种子层；其中，所述种子层覆盖器件正面、器件背面和通孔；通过临时填充层填充所述通孔；通过真空吸附的方法将器件固定，并在器件正面旋涂光刻胶；对器件正面进行光刻，在器件正面的预设区域形成光刻胶掩膜；其中，所述预设区域以外的区域所对应的种子层为电路图形；去除所述临时填充层；对器件进行电镀加厚处理，使所述电路图形加厚；去除所述光刻胶掩膜；去除预设区域的种子层。上述方法可以在涂覆光刻胶的步骤中使用真空吸附的方法固定器件，降低了工艺难度，且提高了成片的质量。
-
公开(公告)号：CN117373727A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311309089.5
申请日：2023-10-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 李仕俊 , 孔令甲 , 杨阳阳 , 袁彪 , 王建 , 唐晓赫 , 徐达 , 常青松 , 史光华 , 王真 , 王胜奎 , 戈江娜 , 王二超 , 许向前 , 王旭东 , 张磊 , 马成龙 , 吴浩宇
摘要： 本发明提供一种超宽带高频互联结构及制备方法，包括从下到上依次层叠设置的底层导电层、形变金属层和键合互联金属层，且底层导电层的两端分别和键合互联金属层的两端连接；形变金属层包括层叠设置的至少一个第一子金属层和至少一个第二子金属层，且第一子金属层和第二子金属层的热应力不同；键合互联金属层的两端、形变金属层的两端以及底层导电层的两端均向靠近键合互联金属层上表面的中间位置弯曲，且该弯曲是基于第一子金属层和第二子金属层的热应力不同形成的自然变形。本发明提供的互联结构强度高一致性好。
-
公开(公告)号：CN109461716A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811266561.0
申请日：2018-10-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本发明适用于微电子技术领域，提供了一种混合型多芯片组件及其制备方法，混合型多芯片组件包括：基板；所述基板上表面设有液晶聚合物层；所述液晶聚合物层中设有电路互连孔，所述电路互连孔贯穿所述液晶聚合物层；所述液晶聚合物层的电路区和所述电路互连孔的底面和侧壁上均设有种子层；所述种子层与所述电路区对应区域的上表面设有薄膜电路，所述电路互连孔中设有互连层，所述互连层连接所述薄膜电路和所述基板。本发明中的混合型多芯片组件具有优异的高频性能。
-
公开(公告)号：CN117374002A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311297414.0
申请日：2023-10-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/768 , C25D5/02 , C25D5/12
摘要： 本发明实施例提供一种金铝互联传输线及其制备方法，涉及半导体封装技术领域。本发明通过在临时基板上电镀制备长度大于等于金铝焊盘间距的金传输带，在金传输带上制备镍阻挡层、铝焊盘，去除临时基板后得到带状金铝互联传输线。带状金铝互联传输线用于柔性连接独立芯片的铝焊盘与电路板的金焊盘，一端的铝焊盘连接独立芯片的铝焊盘，另一端的金传输带连接电路板的金焊盘。如此可实现单个独立芯片的铝焊盘与电路板的金焊盘之间互联。进一步的，通过在金层和铝层之间设置镍阻挡层，隔绝金铝界面，减少了金铝扩散，在实现独立芯片与电路板的异种金属互联的同时，减小了金铝界面失效风险，增加了金铝互联可靠性。
-
公开(公告)号：CN110444971A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910749336.0
申请日：2019-08-14
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于射频/微波模块封装技术领域，提供了一种微同轴垂直互连结构，包括：垂直内导体、垂直外导体和介质连接体；垂直内导体置于垂直外导体内部，垂直内导体与垂直外导体同轴且互不接触，垂直内导体和垂直外导体均包括至少两层；介质连接体设置在垂直内导体与垂直外导体的层间，且中部位于相邻两层垂直内导体之间、边缘位于相邻两层垂直外导体之间，用于连接垂直内导体和垂直外导体。本发明提供的微同轴垂直互连结构，结构简单，通过同轴的垂直内导体和垂直外导体传输微波/毫米波信号，减少了传输损耗，提高了应用频率的范围，适用于频率范围更广的毫米波高频超宽带产品封装中的垂直互连。
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
9 条记录 (耗时 0.053 秒)
