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公开(公告)号：CN111262529B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202010123495.2
申请日：2020-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。
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公开(公告)号：CN114244298A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111584254.9
申请日：2021-12-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03G11/00
Abstract: 本发明适用于微波通信技术领域，提供了一种基于反馈的微波限幅器及收发装置，上述限幅器包括：包括：双向耦合器、第一正向检波模块、第二正向检波模块、第一扼流电感、第二扼流电感、PIN二极管、第一电容、天线端及功率发射端；双向耦合器，第一主支路端与天线端连接，第二主支路端分别与第一扼流电感的第一端、PIN二极管的正极及功率发射端连接，第一耦合端与第一正向检波模块的输入端连接，第二耦合端与第二正向检波模块的输入端连接；第一正向检波模块的输出端与第一扼流电感的第二端连接；本发明基于双向耦合器的特性，当有大功率信号注入时，两个检波模块叠加作用到PIN二极管的两端，单向限幅，实现了对大功率信号的单向防护。
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公开(公告)号：CN110444971B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910749336.0
申请日：2019-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于射频/微波模块封装技术领域，提供了一种微同轴垂直互连结构，包括：垂直内导体、垂直外导体和介质连接体；垂直内导体置于垂直外导体内部，垂直内导体与垂直外导体同轴且互不接触，垂直内导体和垂直外导体均包括至少两层；介质连接体设置在垂直内导体与垂直外导体的层间，且中部位于相邻两层垂直内导体之间、边缘位于相邻两层垂直外导体之间，用于连接垂直内导体和垂直外导体。本发明提供的微同轴垂直互连结构，结构简单，通过同轴的垂直内导体和垂直外导体传输微波/毫米波信号，减少了传输损耗，提高了应用频率的范围，适用于频率范围更广的毫米波高频超宽带产品封装中的垂直互连。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111262529A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010123495.2
申请日：2020-02-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03F1/02
Abstract: 本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。
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公开(公告)号：CN111312703A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010090969.8
申请日：2020-02-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种三维立体混合集成电路封装结构及装配方法，属于半导体封装技术领域，包括封装外壳、下层基板、上层基板，封装外壳设有贯穿封装外壳的底板的引脚；上层基板和下层基板通过BGA植球倒装焊工艺实现叠层互联；下层基板的下层正面焊盘上和上层基板的上层正面焊盘均设有元器件。本发明提供的三维立体混合集成电路封装结构，能够提高混合集成电路的集成度，同时可以把体积较大且需要调试的元器件放置上层基板上，方便单独调试和单独装配，而且调试时不损伤其他器件，提高了产品的可操作性和简化装配难度。
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公开(公告)号：CN111128769A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911202959.2
申请日：2019-11-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种球栅阵列封装的植球结构及植球方法，属于芯片封装技术领域，球栅阵列封装的植球结构包括基板、焊盘层、中心铜核球阵列以及常规焊球组；其中，基板的正面用于粘接大功率芯片，基板上穿设有用于导通基板的正面和背面的导柱；焊盘层设于基板的背面，焊盘层与基板的正面导通并与大功率芯片通过引线连接；中心铜核球阵列植于焊盘层上，中心铜核球阵列的位置用于与大功率芯片的背面对齐；常规焊球组植于焊盘层上并成环型围绕于中心铜核球阵列的周围。本发明提供的一种球栅阵列封装的植球结构及值球方法，中心铜核球阵列能够快速散热、常规焊球组能够辅助缓解热应力，在未增加散热结构体积的情况下提高了球栅阵列封装的散热能力。
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公开(公告)号：CN110444971A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910749336.0
申请日：2019-08-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于射频/微波模块封装技术领域，提供了一种微同轴垂直互连结构，包括：垂直内导体、垂直外导体和介质连接体；垂直内导体置于垂直外导体内部，垂直内导体与垂直外导体同轴且互不接触，垂直内导体和垂直外导体均包括至少两层；介质连接体设置在垂直内导体与垂直外导体的层间，且中部位于相邻两层垂直内导体之间、边缘位于相邻两层垂直外导体之间，用于连接垂直内导体和垂直外导体。本发明提供的微同轴垂直互连结构，结构简单，通过同轴的垂直内导体和垂直外导体传输微波/毫米波信号，减少了传输损耗，提高了应用频率的范围，适用于频率范围更广的毫米波高频超宽带产品封装中的垂直互连。
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公开(公告)号：CN211404501U
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202020168007.5
申请日：2020-02-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型提供了一种三维立体混合集成电路封装结构，属于半导体封装技术领域，包括封装外壳、下层基板、上层基板，封装外壳设有贯穿封装外壳的底板的引脚；上层基板和下层基板通过BGA植球倒装焊工艺实现叠层互联；下层基板的下层正面焊盘上和上层基板的上层正面焊盘均设有元器件。本实用新型提供的三维立体混合集成电路封装结构，能够提高混合集成电路的集成度，同时可以把体积较大且需要调试的元器件放置上层基板上，方便单独调试和单独装配，而且调试时不损伤其他器件，提高了产品的可操作性和简化装配难度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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