发明授权
- 专利标题： 磁存储器件
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申请号： CN201910746131.7申请日： 2019-08-13
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公开(公告)号： CN110491990B公开(公告)日： 2024-09-13
- 发明人: 黄嘉晔 , 俞文杰 , 刘强
- 申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
- 申请人地址： 上海市嘉定区城北路235号1号楼
- 专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
- 当前专利权人： 上海新微技术研发中心有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市嘉定区城北路235号1号楼
- 代理机构： 深圳天融专利代理事务所
- 代理商 周维
- 主分类号： H10N50/10
- IPC分类号： H10N50/10 ; H10N50/85 ; H10B61/00
摘要：
本发明涉及磁存储器领域，尤其涉及一种磁存储器件，固定层、通道隔离层、自由层；所述通道隔离层位于所述固定层和所述自由层之间；还包括非磁性结构，所述非磁性结构位于所述自由层中，所述非磁性结构与所述自由层的材料不同。本发明能够有效降低改变MTJ自由层磁化方向的临界电流，减小磁存储器件体积。
公开/授权文献
- CN110491990A 磁存储器件 公开/授权日：2019-11-22
