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公开(公告)号：CN118778351A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410889607.3
申请日：2024-07-04
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： G03F1/76 , B23K26/362 , B23K26/60 , B23K26/0622 , G03F1/80 , G03F1/72 , H10N10/01
摘要： 本发明提供一种金属掩膜板及其制备方法和应用，制备方法包括如下步骤：提供金属基板，所述金属基板具有第一表面和第二表面；通过飞秒激光加工所述第一表面，在所述金属基板上依次形成掩膜阵列图案和位于边缘位置的填充图案，所述掩膜阵列图案由若干第一贯穿孔组成，所述填充图案由若干第二贯穿孔组成，即得到所述金属掩膜板。本发明利用飞秒激光瞬时能量高、热效应低、加工精度高的特点，制备出了高精度高平整度的金属掩膜板；通过在边缘设置填充图案的方式，可以均衡热应力，进一步提供金属掩膜板的平整度；而通过对尺寸偏差进行预先的补偿设计，可以确保金属掩膜板图案的精度。
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公开(公告)号：CN118748904A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410851554.6
申请日：2024-06-28
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种高密度热电器件的制备方法，制备方法包括如下步骤：提供多个掩膜板，分别为第一掩膜板、第二掩膜板、第三掩膜板和第四掩膜板，提供第一基底和第二基底；利用所述第一掩膜板在所述第一基底表面沉积形成图案化下电极，利用所述第二掩膜板在所述第二基底表面沉积形成图案化上电极；利用所述第三掩膜板在第一基底表面依次沉积N型热电臂和第一键合层；利用所述第四掩膜板在第二基底表面依次沉积P型热电臂和第二键合层；将第一键合层和第二键合层进行加压高温键合，得到高密度热电器件。本方法避免了光刻胶对热电材料沉积温度的限制，配合高精度的掩膜，实现了热电材料的高密度集成，且双面键合工艺简单可靠，成本低廉。
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公开(公告)号：CN114071630B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202010759007.7
申请日：2020-07-31
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司 , 北京华与智联信息技术有限公司
摘要： 本发明提供一种基于局域无线自组网的NB‑IoT网络系统及组网方法，组网方法包括：多个NB‑IoT设备之间形成局域自组网以实现任意两个NB‑IoT设备之间的通信；计算每个NB‑IoT设备的综合加权值，取局域自组网中综合加权值最高的NB‑IoT设备的设备作为本次通信的NB‑IoT设备节点，综合加权值包括NB‑IoT设备的信号强度加权值和电池电量加权值的综合加权；局域自组网中的需要通信的NB‑IoT设备通过NB‑IoT设备节点与外部NB‑IoT基站连接通信。本发明可以有效解决NB‑IoT设备无法接收到NB‑IoT网络讯号及存在电池不足无法大功率发射的问题。
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公开(公告)号：CN118050855A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211429170.2
申请日：2022-11-15
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种片上波分复用器件及其设计方法，所述片上波分复用器件通过多个定向耦合器将具有不同宽度和长度的波导的马赫泽德单元互相连接，形成波分复用器件，使得光信号在每一个马赫泽德单元传输的波导臂中形成相位差对工艺不敏感，从而增加了波分复用器件对工艺误差的不敏感程度，最终提高了波分复用光路的性能；所述设计方法基于马赫泽德单元的中心波长和预设马赫泽德单元中两种宽度不同波导的宽度，最终确定满足该中心波长和预设宽度不等的两种波导的长度，并基于上述两种波导的宽度和长度的马赫泽德单元，构建出符合中心波长的对工艺不敏感的波分复用器件，提高波分复用器件的性能和良率。
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公开(公告)号：CN118033813A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211425114.1
申请日：2022-11-14
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种基于双尖端锥形耦合结构的端面耦合器及制作方法，包括埋氧层、波导层及包层，波导层包括在第一方向上依次且间隔排列的第一至第三波导组，第一波导组包括在第二方向上依次连接的第一波导及第二波导，按照上述连接方式，第二波导组包括第三波导及第四波导，第三波导组包括第五波导及第六波导，第二方向垂直于第一方向，第二波导组的输入端与第一波导组及第三波导组的输入端在第二方向上错开预设距离，第四波导为直波导，其他波导为锥形波导，第一波导、第三波导、第五波导的宽度在第二方向上逐渐增大，第二波导、第六波导的宽度在第二方向上逐渐减小。本发明的端面耦合器在降低偏振依赖性的同时，降低器件的插入损耗，提高耦合效率。
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公开(公告)号：CN117673175A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211041274.6
申请日：2022-08-29
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01T1/26
摘要： 本发明提供一种硅基波导型锗探测器及其制备方法，硅基波导型锗探测器包括：SOI衬底，SOI衬底包括依次层叠的硅衬底、埋氧层和顶层硅，顶层硅包含硅波导结构；锗基探测层，位于硅波导结构上；反射膜结构，覆盖于锗基探测层上，用于将波导结构传输进入锗基探测层且未被锗基探测层吸收的光线反射回锗基探测层内再进行吸收。本发明通过在锗基探测层四周设置反射膜结构，从而引入构建了小型的光学谐振腔，减小了光的损耗，可以让未被吸收的光线不断在锗中重复吸收，有效提升了锗的吸收，在同样的光吸收效果下，本发明的器件尺寸可以比传统的锗探测器大大减小，而且具有工艺兼容性。
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公开(公告)号：CN117637461A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210995884.3
申请日：2022-08-18
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
发明人： 陈东石
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 本发明提供一种半导体结构的研磨方法及硅光器件的制备方法，通过对第一类硅台面上的二氧化硅岛进行刻蚀，以去除第一类硅台面上的部分二氧化硅岛，第二类硅台面上的二氧化硅岛及二氧化硅填充层由抗刻蚀层覆盖而不被刻蚀，从而提高宽度较大的二氧化硅岛的研磨去除速度，使其与宽度较小的二氧化硅岛的研磨去除速度相近，不会发生窄硅岛上的二氧化硅岛被过早研磨去除导致窄硅岛被过分研磨而造成损伤的问题，采用化学机械研磨方法进行二氧化硅层的研磨，形成硅衬底和二氧化硅层共面的结构。本发明可以采用通用研磨液及填充方法，解决窄硅岛在化学机械研磨中顶部硅损伤的问题，可以广泛应用于硅光子技术。
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公开(公告)号：CN117534030A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210922761.7
申请日：2022-08-02
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种在基板上形成悬空的微细结构的方法：在所述基板的一个主面上形成凹部；在所述凹部中形成牺牲层结构；在所述牺牲层结构上方形成微细结构，以及使所述牺牲层结构部分暴露的通道；通过所述通道去除所述牺牲层结构从而露出所述凹部；通过所述通道对所述凹部进行刻蚀进而形成更深的空腔，并使所述微细结构悬空。由此，能够同时满足较小的钻蚀、可控的空腔深度以及较大的空腔面积的要求。
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公开(公告)号：CN117446741A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210845397.9
申请日：2022-07-18
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种具有微型加热器的薄膜吸气剂结构及其制造方法，包括：在基板的第一主面一侧形成有一个或两个以上热子以及在所述热子表面形成有吸气剂薄膜，其中，所述热子包括：第一绝缘薄膜，在第一绝缘薄膜上表面形成的薄膜电阻，以及覆盖所述薄膜电阻的第二绝缘薄膜；所述基板和所述第一绝缘薄膜中形成有贯穿所述基板和所述第一绝缘薄膜的导电柱，所述薄膜电阻的两端与所述导电柱连接，所述基板的第二主面形成有与所述导电柱连接的电极，以将所述薄膜电阻电性引出。所述基板的所述第一主面一侧具有多孔结构，所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分位于所述多孔结构上方，所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分通过连接部支撑于所述多孔结构周围的主面。
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公开(公告)号：CN117377372A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210744062.8
申请日：2022-06-27
申请人： 上海新微技术研发中心有限公司
发明人： 王诗男
摘要： 本发明提供一种微细结构加工治具，其利用与基板相对固定的下掩膜板定义用于形成两类以上材料组成的微细图形的开口，通过于其上叠置的上掩膜板决定在基板上形成其中一类材料的微细图形，使得微细图形间的对准误差主要由第一个掩膜板开口的加工精度决定，有效提高各类材料的微细图形间的对准精度，有利于图形的微细化，提升器件的性能。本发明有效克服了常规硬掩模工艺的局限性，可以利用硬掩模技术实现两类以上材料的微细图形加工，使用前述的微细结构加工治具执行微细结构加工方法，所述加工方法操作简单、两类以上材料的微细图形间对准精度得到提升，从而可提高微细加工精度以及工艺重复性，通过本发明可以获得期望尺寸的微细图形，具有广泛的应用场景和应用前景。
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