发明授权
- 专利标题： 硅异质结太阳电池的光处理方法
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申请号： CN201910807141.7申请日： 2019-08-29
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公开(公告)号： CN110518095B公开(公告)日： 2021-08-10
- 发明人: 赵晓霞 , 王伟 , 田宏波 , 周永谋 , 王恩宇 , 宗军
- 申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层;
- 专利权人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司,国家电投集团新能源科技有限公司
- 当前专利权人： 国家电投集团新能源科技有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层;
- 代理机构： 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 宋合成
- 主分类号： H01L31/20
- IPC分类号： H01L31/20
摘要：
本发明提供了硅异质结太阳电池的光处理方法。硅异质结太阳电池的光处理方法包括：至少一次光照处理，所述光照处理在形成非晶硅薄膜之后进行。由此，通过光照处理，对非晶硅薄膜进行适当能量光子的注入，提高非晶硅薄膜中氢原子的迁移，有效改善非晶硅薄膜的质量和异质结的界面态密度，提高硅异质结太阳电池的开路电压和填充因子，进而提高电池效率；而且，该光处理方法无需改变电池结构，简单易操作，稳定性好，适用于硅异质结电池的规模化生产。
公开/授权文献
- CN110518095A 硅异质结太阳电池的光处理方法 公开/授权日：2019-11-29
IPC分类:
