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公开(公告)号：CN110518095B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910807141.7
申请日：2019-08-29
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20
摘要： 本发明提供了硅异质结太阳电池的光处理方法。硅异质结太阳电池的光处理方法包括：至少一次光照处理，所述光照处理在形成非晶硅薄膜之后进行。由此，通过光照处理，对非晶硅薄膜进行适当能量光子的注入，提高非晶硅薄膜中氢原子的迁移，有效改善非晶硅薄膜的质量和异质结的界面态密度，提高硅异质结太阳电池的开路电压和填充因子，进而提高电池效率；而且，该光处理方法无需改变电池结构，简单易操作，稳定性好，适用于硅异质结电池的规模化生产。
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公开(公告)号：CN110518095A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910807141.7
申请日：2019-08-29
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/20
摘要： 本发明提供了硅异质结太阳电池的光处理方法。硅异质结太阳电池的光处理方法包括：至少一次光照处理，所述光照处理在形成非晶硅薄膜之后进行。由此，通过光照处理，对非晶硅薄膜进行适当能量光子的注入，提高非晶硅薄膜中氢原子的迁移，有效改善非晶硅薄膜的质量和异质结的界面态密度，提高硅异质结太阳电池的开路电压和填充因子，进而提高电池效率；而且，该光处理方法无需改变电池结构，简单易操作，稳定性好，适用于硅异质结电池的规模化生产。
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公开(公告)号：CN113035995A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201911350645.7
申请日：2019-12-24
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要： 本发明提供了用于硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。用于硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括：提供基底，基底包括晶硅衬底和形成在晶硅衬底两个相对设置的表面上的非晶硅薄膜；在第一特定环境中，在非晶硅薄膜的表面上沉积形成第一ITO薄膜，第一特定环境中包括水汽。由此，非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面以及第一ITO薄膜内部形成大量的氢原子，氢原子的还原能力能够阻止非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面形成氧化硅，进而提高非晶硅薄膜与第一ITO薄膜之间的界面质量和界面性能，提高界面之间的载流子的输运。
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公开(公告)号：CN110634990A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910807485.8
申请日：2019-08-29
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/04
摘要： 本发明提供了硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法。硅异质结太阳电池的ITO薄膜的制备方法包括：提供基底，所述基底包括晶硅衬底和形成在晶硅衬底两个相对的表面上的非晶硅薄膜；在基底远离晶硅衬底的至少一个表面上溅射沉积缓冲ITO薄膜；在缓冲ITO薄膜远离晶硅衬底的表面上溅射沉积导电ITO薄膜；沉积导电ITO薄膜的功率密度和靶电压两参数中至少一个高于沉积缓冲ITO薄膜的对应参数。由此，上述方法可以制备性能良好的硅异质结太阳电池的ITO薄膜。
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公开(公告)号：CN113130671A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911398836.0
申请日：2019-12-30
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明提供了硅异质结太阳电池及其制备方法。该硅异质结太阳电池包括：基材，基材具有相对设置的正面和背面；铜薄膜电极，铜薄膜电极设置在整个背面的一侧；图形化的铜栅线电极，铜栅线电极设置在所述正面的一侧。相比正面电极和背面电极均是图形化的铜栅线电极，本申请中背面电极为整面的铜薄膜电极，无需将其进行图形化，即可以节省背面电极图形化等工艺流程和光刻掩膜的使用，从而有效地降低铜电极的制作成本，进而降低硅异质结太阳电的整体制备成本；而且，整面的铜薄膜电极可以有效降低太阳电池的串联电阻，进而提高太阳电池的效率。
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公开(公告)号：CN113005412A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201911316635.1
申请日：2019-12-19
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L31/0445 , H01L31/074 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了用于硅异质结电池的ITO薄膜的制备方法。该方法包括：通过磁控溅射法沉积透明导电氧化物ITO薄膜，所述磁控溅射法中采用的工艺气体包括氩气、氧气和氢气。该方法通过在磁控溅射法沉积ITO薄膜工艺中引入氢气作为反应气体，可以显著降低薄膜产品中散射中心密度，提高载流子迁移率，从而在保持薄膜良好透过率的同时，获得电学性能的提高。
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公开(公告)号：CN211828779U
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201922326551.8
申请日：2019-12-20
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司 , 国家电投集团新能源科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747
摘要： 本实用新型提供了用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜。用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜包括：氢掺杂氧化铟层；TCO接触层，TCO接触层设置在氢掺杂氧化铟层的一个表面上。由此，氢掺杂氧化铟层具有较高的载流子迁移率，其可以大大提高叠层透明导电氧化物薄膜的整体载流子迁移率，进而降低叠层透明导电氧化物薄膜的电阻率，提升硅异质结太阳电池的使用性能；而且，在硅异质结太阳电池中，TCO接触层的设置可以保证叠层透明导电氧化物薄膜与硅异质结太阳电池中的金属电极良好的接触，以降低两者之间的接触电阻；再者，轻掺杂氧化铟层具有较高的透光率，故而不会影响叠层透明导电氧化物薄膜的透光效果。
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公开(公告)号：CN109148614A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710456695.8
申请日：2017-06-16
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/0747 , H01L31/202
摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法。其中，该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；重掺杂n型氢化非晶硅背场层，氢化非晶硅背场层形成在另一侧氢化非晶硅缓冲层的表面上；透明导电氧化物层，透明导电氧化物层形成在氢化非晶硅发射极层和氢化非晶硅背场层的表面上；金属栅线电极层，金属栅线电极层包括：合金过渡层，合金过渡层形成在透明导电氧化物层、氢化非晶硅背场层和氢化非晶硅发射极层至少一层表面上；含铜导电合金层，含铜导电合金层形成在合金过渡层的表面上。
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公开(公告)号：CN110137302A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201810130401.7
申请日：2018-02-08
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0747
摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池晶硅衬底的清洗及制绒方法，包括：(1)将晶硅衬底浸入溶解有臭氧的清洗液中进行预清洗；(2)将步骤(1)所得晶硅衬底浸入碱性溶液中，以便在晶硅衬底的表面形成特定形貌的绒面结构；(3)将步骤(2)所得晶硅衬底浸入含有NH4OH和H2O2的去离子水中进行清洗；(4)将步骤(3)所得晶硅衬底浸入HF、HCl和H2O2的混合液中进行清洗，以便得到具有绒面结构的清洁晶硅衬底。该方法采用臭氧有效清除晶硅衬底表面的有机物等杂质，为后续制绒工序提供更为均匀、可控的洁净晶硅衬底表面，该方法不仅提高了晶硅衬底的清洗和制绒效果，而且以臭氧代替传统方法中的高浓度H2SO4等强酸试剂，便于废液的回收利用，减少了对环境的影响。
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公开(公告)号：CN108987488A
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201710457372.0
申请日：2017-06-16
申请人： 国家电投集团科学技术研究院有限公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/20
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法。其中，该硅异质结太阳电池包括：n型晶硅衬底；第一轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层；第一透明导电氧化物层；第二轻掺杂n型氢化非晶硅层；重掺杂n型氢化非晶硅背场层；第二透明导电氧化物层；以及多个金属栅线电极层。该硅异质结太阳电池采用轻掺杂的氢化非晶硅替代本征非晶硅作为钝化层，可以在保证良好的界面钝化作用的前提下，显著改善串联电阻，提高电池性能。
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