- 专利标题: 基于铪系铁电薄膜的声表面波器件及薄膜体声波器件
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申请号: CN201910739639.4申请日: 2019-08-12
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公开(公告)号: CN110601673B公开(公告)日: 2021-08-13
- 发明人: 任天令 , 王方伟 , 杨轶 , 赵瑞婷 , 简锦明
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园1号
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园1号
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 廖元秋
- 主分类号: H03H3/02
- IPC分类号: H03H3/02 ; H03H9/02 ; H03H9/17 ; H03H9/64
摘要:
本发明公开了基于铪系铁电薄膜的声表面波器件及薄膜体声波器件,声表面波器件包括在衬底上集成的谐振/滤波组件和传感组件中的任意一种或两种,各组件均分别包括依次层叠的底电极层、压电层和顶电极层;薄膜体声波器件包括在衬底上集成的谐振/滤波组件、传感组件中的任意一种或两种,各组件均分别包括依次层叠的底电极层、压电层和顶电极层;两类声波器件中的各压电层均分别是通过掺杂有锆、铝或硅的铪系铁电薄膜,使用原子层沉积工艺制得。本发明能够在铪系铁电薄膜上制备出两类声波器件和存储器件,可以将环境感知、信号处理与存储进行集成,有利于提高电子设备的集成度和工作速度。
公开/授权文献
- CN110601673A 基于铪系铁电薄膜的声表面波器件及薄膜体声波器件 公开/授权日:2019-12-20