发明公开
- 专利标题: CoZn-S纳米颗粒穿插在石墨烯中的复合薄膜电极制备方法及其应用
- 专利标题(英): A preparation method and application of a composite film electrode with CoZn-S nanoparticles inserted into graphene
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申请号: CN201910738077.1申请日: 2019-08-12
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公开(公告)号: CN110634688A公开(公告)日: 2019-12-31
- 发明人: 刘瑜 , 辛娜
- 申请人: 江苏大学
- 申请人地址: 江苏省镇江市京口区学府路301号
- 专利权人: 江苏大学
- 当前专利权人: 江苏大学
- 当前专利权人地址: 江苏省镇江市京口区学府路301号
- 主分类号: H01G11/86
- IPC分类号: H01G11/86 ; H01G11/24 ; H01G11/30 ; H01G11/36
摘要:
本发明属于复合电极材料制备技术领域,涉及一种CoZn-S纳米颗粒穿插在石墨烯中(rGO @ CoZn-S)的复合薄膜电极制备方法及其应用于超级电容器。本发明首先配制Co(NO3)2和Zn(NO3)2溶液以体积比1:2~2:1混合搅拌均匀,加入经超声分散均匀的0.4 mol/L 2-甲基咪唑溶液混合均匀得到CoZn-MOF悬浊液;然后量取所制得的CoZn-MOF悬浊液加入石墨烯溶液中静置,真空抽滤得GO @ CoZn-MOF夹心状复合薄膜;最后将硫代乙酰胺与无水乙醇超声分散均匀,转移至反应釜并浸入GO @ CoZn-MOF复合薄膜,90℃~120℃恒温1~3h,冷却至室温,取出洗净,真空干燥即得。本发明以石墨烯作为基底很大程度上增强了材料的柔韧性和导电性,同时CoZn-MOF衍生的CoZn-S纳米颗粒直接在石墨烯表面原位生长,可用作电极材料,避免了粘合剂和导电剂的使用。