- 专利标题: 一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置
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申请号: CN201911037731.2申请日: 2019-10-29
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公开(公告)号: CN110673010B公开(公告)日: 2022-01-21
- 发明人: 孙帅 , 崔梅婷 , 陈中圆 , 陈艳芳 , 李翠
- 申请人: 全球能源互联网研究院有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 专利权人: 全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人: 全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 汤荞赫
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26 ; G01R27/02
摘要:
本发明实施例提供一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置,其中,方法通过构建等效电路模型,设置驱动电阻对应的第一预设电阻值和第二预设电阻值,获取驱动电源对应的驱动电压值、充电电容对应的输入电容值、第一预设电阻值对应的第一开通延时值和第二预设电阻值对应的第二开通延时值,利用差值法联立关于栅极电阻对应的阈值电压的方程表达式,把阈值电压作为一个中间量消去,进而不再需要测量阈值电压参量,只需要两次动态测试即可求解栅极内电阻,避免了阈值电压测量不准确引起的误差,因此,提高了栅极内电阻的测算精度。
公开/授权文献
- CN110673010A 一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置 公开/授权日:2020-01-10