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公开(公告)号：CN116466203A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210032116.8
申请日：2022-01-12
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明提供的一种IGBT模块的动态参数测试装置，包括电源模块、切换模块及上位机，其中，电源模块的第一端分别与第二待测器件的第一端及切换模块的第一端连接，电源模块的第二端与第一待测器件的第二端连接；切换模块的第二端与第一待测器件的第二端连接，切换模块的第三端与上位机连接，切换模块的第四端分别与第二待测器件的第二端及第一待测器件的第一端连接；上位机还分别与第一待测器件的控制端及第二待测器件的控制端连接。通过设置两条测试回路，使得两个待测器件互为陪测，当对其中一个待测器件测试结束后，通过切换模块，继续选定下一个待测器件接入测试回路进行动态参数测试，避免了人为替换测试器件，从而提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN111142002B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010030828.7
申请日：2020-01-13
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种并联芯片温度均匀性检测方法及装置，该检测方法包括如下步骤：将工作状态下的待测模块置于多个预设温度中，计算多个预设温度下待测模块的关断时间和关断延迟时间，待测模块包括并联的多个芯片；根据多个预设温度下的关断时间和关断延迟时间计算得到关断时间曲线和关断延迟时间曲线；将待测模块置于工作环境下，计算待测模块的关断时间测量值和关断延迟时间测量值；根据关断延迟时间测量值、关断时间曲线及关断延迟时间曲线计算得到关断时间计算值；根据关断时间测量值和关断时间计算值判断待测模块的温度均匀性。通过实施本发明，可以实现温度均匀性的无损检测，同时测量装置和测量方法简单，易操作。
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公开(公告)号：CN110673010B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN201911037731.2
申请日：2019-10-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置，其中，方法通过构建等效电路模型，设置驱动电阻对应的第一预设电阻值和第二预设电阻值，获取驱动电源对应的驱动电压值、充电电容对应的输入电容值、第一预设电阻值对应的第一开通延时值和第二预设电阻值对应的第二开通延时值，利用差值法联立关于栅极电阻对应的阈值电压的方程表达式，把阈值电压作为一个中间量消去，进而不再需要测量阈值电压参量，只需要两次动态测试即可求解栅极内电阻，避免了阈值电压测量不准确引起的误差，因此，提高了栅极内电阻的测算精度。
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公开(公告)号：CN111707919A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010608422.2
申请日：2020-06-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种IGBT器件测试电路及测试方法，测试电路包括：双脉冲测试模块用于测试IGBT的开通、关断性能；电流耐受能力测试模块用于在模拟换流阀双极性短路情况下，对IGBT的电流耐受能力进行测试；采集模块用于采集IGBT集射极电压及发射极电流；保护模块用于当IGBT集射极电压和/或发射极电流超过对应的预设阈值时，切断双脉冲测试模块与IGBT的连接。本发明利用双脉冲测试模块对IGBT的开通、关断性能进行测试，利用电流源持续输出方波电流来模拟换流阀双极性短路情况下，浪涌电流冲击IGBT的情况，从而进一步提高了对IGBT性能测试的全面性及多样性。
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公开(公告)号：CN110991143A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911250014.8
申请日：2019-12-09
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G06F30/398
摘要： 本发明涉及功率半导体技术领域，具体涉及功率半导体模块的建模方法、装置及电子设备，其中方法包括：获取目标功率半导体模块的三维几何模型及其参数；基于三维几何模型及其参数，计算接线端子与接线端口之间的寄生参数；其中，寄生参数用于表示所述连接线路之间的耦合关系；根据各个功率半导体芯片以及寄生参数，建立目标功率半导体模块的等效模型。通过计算目标功率半导体模块的接线端子与各个功率半导体芯片的接线端口之间的寄生参数，即，从目标功率半导体模块内的各个功率半导体芯片出发，针对各个功率半导体芯片进行差异化建模并同时等效了内部寄生参数差异，所得到的等效模型可以用于研究目标功率半导体模块内部各个芯片的电气特性。
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公开(公告)号：CN110927548A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911137416.7
申请日：2019-11-19
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件浪涌电流承受能力检测系统，其特征在于，所述系统包括：电源装置、辅助IGBT器件、辅助IGBT器件对应的驱动单元、被测功率半导体器件和被测功率半导体器件对应的驱动单元。本发明提供的技术方案能够准确快速的对被测功率半导体器件进行浪涌电流承受能力检测，满足了电力系统用功率半导体器件不同波形的浪涌电流测试需求。
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公开(公告)号：CN110673010A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911037731.2
申请日：2019-10-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置，其中，方法通过构建等效电路模型，设置驱动电阻对应的第一预设电阻值和第二预设电阻值，获取驱动电源对应的驱动电压值、充电电容对应的输入电容值、第一预设电阻值对应的第一开通延时值和第二预设电阻值对应的第二开通延时值，利用差值法联立关于栅极电阻对应的阈值电压的方程表达式，把阈值电压作为一个中间量消去，进而不再需要测量阈值电压参量，只需要两次动态测试即可求解栅极内电阻，避免了阈值电压测量不准确引起的误差，因此，提高了栅极内电阻的测算精度。
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公开(公告)号：CN111912538B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202010670448.X
申请日：2020-07-13
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网湖北省电力有限公司
摘要： 本发明提供了一种压接型半导体器件、压接子模块以及弹性测温封装组件，压接型半导体器件包括若干个压接子模块，弹性测温封装组件与芯片组件相贴合，用于对芯片测温，其包括用于与芯片组件贴合测温的测温探头、用于固定测温探头的探头固定件，以及套设于探头固定件外的限位套筒，探头固定件滑动设于限位套筒内，限位套筒的顶端可与芯片组件抵接，限位套筒内设有弹性件。测温探头可以直接与芯片组件相贴合，从而实现接触式测温，实现了对压接型半导体器件内部芯片的直观和有效的测温，满足压接型半导体器件的测温需要，并且准确度较高、使用面积较广、计算方式较简单以及电绝缘性好，不易受到外部环境的干扰。
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公开(公告)号：CN110865291A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911136076.6
申请日：2019-11-19
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件大电流关断能力检测电路及方法，所述电路包括：三相不控整流模块、变流器模块、辅助换流器件、被测功率半导体器件和续流吸收回路；三相不控整流模块的正极端子连接所述变流器模块的前级输入正极端子，三相不控整流模块的负极端子连接所述变流器模块的前级输入负极端子；变流器模块的后级输出正极端子分别连接所述辅助换流器件的集电极、被测功率半导体器件的集电极和续流吸收回路的正极端子；变流器模块的后级输出负极端子分别连接所述辅助换流器件的发射极、被测功率半导体器件的发射极和续流吸收回路的负极端子。本发明提供的检测电路提高了检测系统的扩展性和灵活性，检测方法保证检测结果的准确。
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公开(公告)号：CN109783861A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811526530.4
申请日：2018-12-13
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种压接型IGBT器件的芯片互补均流封装方法及装置，该压接型IGBT器件的芯片互补均流封装方法包括：测试各待选芯片的阈值电压；将各待选芯片按照阈值电压的大小进行排序，得到芯片序列组；根据预设数量要求及预设筛选条件，从芯片序列组中按照排序依次选取待选芯片，得到多个待封装芯片组；根据各待封装芯片组中的各待选芯片的通态电阻对各待封装芯片组进行封装。通过实施本发明，通过对阈值电压的筛选并考虑通态电阻的影响，减小了各个芯片中电流的差异，使得封装于压接型IGBT器件的各个芯片之间实现了互补均流，进而提高了压接型IGBT器件的使用寿命。
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