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公开(公告)号：CN111751697A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010643033.3
申请日：2020-07-06
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请提供的一种压接型IGBT热阻检测方法及装置，该方法包括：根据发射极散热器的进水口温度和出水口温度，以及集电极散热器的进水口温度和出水口温度，计算IGBT的发射极与集电极的散热比例；根据IGBT的电流和IGBT发射极与集电极之间的压降，确定IGBT的发热功率；根据IGBT的发射极与集电极的散热比例、IGBT的发热功率、发射极壳温及结温，确定IGBT的发射极侧热阻；根据IGBT的发射极与集电极的散热比例、IGBT的发热功率、集电极壳温及结温，确定IGBT的集电极侧热阻。无需对芯片进行直接接触，解决了无法对压接型IGBT进行热阻检测的技术问题，为判断压接型IGBT器件的可靠性奠定了基础。
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公开(公告)号：CN110865291A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911136076.6
申请日：2019-11-19
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件大电流关断能力检测电路及方法，所述电路包括：三相不控整流模块、变流器模块、辅助换流器件、被测功率半导体器件和续流吸收回路；三相不控整流模块的正极端子连接所述变流器模块的前级输入正极端子，三相不控整流模块的负极端子连接所述变流器模块的前级输入负极端子；变流器模块的后级输出正极端子分别连接所述辅助换流器件的集电极、被测功率半导体器件的集电极和续流吸收回路的正极端子；变流器模块的后级输出负极端子分别连接所述辅助换流器件的发射极、被测功率半导体器件的发射极和续流吸收回路的负极端子。本发明提供的检测电路提高了检测系统的扩展性和灵活性，检测方法保证检测结果的准确。
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公开(公告)号：CN110416194A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910501701.6
申请日：2019-06-11
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
IPC分类号： H01L25/07 , H01L29/739 , H01L23/04 , H01L23/08
摘要： 本发明提供一种用于压接型IGBT的绝缘框架结构，其包括内凹槽、E极立柱、G极立柱、导向隔板和伞裙；导向隔板和伞裙分别位于内凹槽的下侧和外侧，E极立柱和G极立柱均竖直设置在内凹槽内部；伞裙包括至少两层依次排列的L型伞裙片。本发明提供的绝缘框架结构体积小，通用性和稳定性强，易加工，定位简单，可有效解决不同高电压等级下的绝缘配合问题，满足器件内部多芯片并联结构的固定定位要求。本发明采用改性塑料开模注塑成型，可实现批量加工，电气绝缘强度高，抗爬电，机械性能优良，灌胶口和排气孔有利于灌注硅凝胶并排除空气，降低气泡引起的局部放电和受热膨胀带来的不利影响。
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公开(公告)号：CN109783861A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811526530.4
申请日：2018-12-13
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种压接型IGBT器件的芯片互补均流封装方法及装置，该压接型IGBT器件的芯片互补均流封装方法包括：测试各待选芯片的阈值电压；将各待选芯片按照阈值电压的大小进行排序，得到芯片序列组；根据预设数量要求及预设筛选条件，从芯片序列组中按照排序依次选取待选芯片，得到多个待封装芯片组；根据各待封装芯片组中的各待选芯片的通态电阻对各待封装芯片组进行封装。通过实施本发明，通过对阈值电压的筛选并考虑通态电阻的影响，减小了各个芯片中电流的差异，使得封装于压接型IGBT器件的各个芯片之间实现了互补均流，进而提高了压接型IGBT器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN115993513A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202111221390.1
申请日：2021-10-20
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网山东省电力公司烟台供电公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本发明公开了一种压接型IGBT模块高温反偏测试装置和测试方法。压接型IGBT模块高温反偏测试装置包括：支撑框架。上加热板，上加热板通过上压力组件连接于支撑框架。下加热板，下加热板通过下压力组件连接于支撑框架。控制单元，控制单元分别电连接上加热板和下加热板。控制单元适于控制上加热板和下加热板从两侧分别压接待测IGBT模块，并对待测IGBT模块加热或降温。且控制单元适于电连接待测IGBT模块。上加热板和下加热板均暴露于空气中。本发明的压接型IGBT模块高温反偏测试装置和测试方法使用加热板对待测IGBT模块直接加热，使得结温易于控制，可适用压接型IGBT模块的高温反偏测试。
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公开(公告)号：CN110829813A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911135190.7
申请日：2019-11-19
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明涉及一种集成吸收电容的压接型IGBT半桥器件，其特征在于，所述压接型IGBT半桥器件包括第一金属电极、第二金属电极、第三金属电极、第一IGBT单元、第二IGBT单元和电容器组；所述第一金属电极、第一IGBT单元、第三金属电极、第二IGBT单元、第二金属电极依次连接；所述电容器组的两端分别连接第一金属电极和第二金属电极。本发明提供的技术方案采用新型的IGBT半桥器件封装方式，与传统的IGBT半桥模块相比减少了缓冲电路额外造成的寄生电感，有效减少换流回路电压过冲。
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公开(公告)号：CN110673010A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911037731.2
申请日：2019-10-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置，其中，方法通过构建等效电路模型，设置驱动电阻对应的第一预设电阻值和第二预设电阻值，获取驱动电源对应的驱动电压值、充电电容对应的输入电容值、第一预设电阻值对应的第一开通延时值和第二预设电阻值对应的第二开通延时值，利用差值法联立关于栅极电阻对应的阈值电压的方程表达式，把阈值电压作为一个中间量消去，进而不再需要测量阈值电压参量，只需要两次动态测试即可求解栅极内电阻，避免了阈值电压测量不准确引起的误差，因此，提高了栅极内电阻的测算精度。
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公开(公告)号：CN116466203A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202210032116.8
申请日：2022-01-12
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明提供的一种IGBT模块的动态参数测试装置，包括电源模块、切换模块及上位机，其中，电源模块的第一端分别与第二待测器件的第一端及切换模块的第一端连接，电源模块的第二端与第一待测器件的第二端连接；切换模块的第二端与第一待测器件的第二端连接，切换模块的第三端与上位机连接，切换模块的第四端分别与第二待测器件的第二端及第一待测器件的第一端连接；上位机还分别与第一待测器件的控制端及第二待测器件的控制端连接。通过设置两条测试回路，使得两个待测器件互为陪测，当对其中一个待测器件测试结束后，通过切换模块，继续选定下一个待测器件接入测试回路进行动态参数测试，避免了人为替换测试器件，从而提高了测试效率。
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公开(公告)号：CN110673010B
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN201911037731.2
申请日：2019-10-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司
摘要： 本发明实施例提供一种测算功率半导体器件的栅极内阻的方法及装置，其中，方法通过构建等效电路模型，设置驱动电阻对应的第一预设电阻值和第二预设电阻值，获取驱动电源对应的驱动电压值、充电电容对应的输入电容值、第一预设电阻值对应的第一开通延时值和第二预设电阻值对应的第二开通延时值，利用差值法联立关于栅极电阻对应的阈值电压的方程表达式，把阈值电压作为一个中间量消去，进而不再需要测量阈值电压参量，只需要两次动态测试即可求解栅极内电阻，避免了阈值电压测量不准确引起的误差，因此，提高了栅极内电阻的测算精度。
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公开(公告)号：CN111707919A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010608422.2
申请日：2020-06-29
申请人： 全球能源互联网研究院有限公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种IGBT器件测试电路及测试方法，测试电路包括：双脉冲测试模块用于测试IGBT的开通、关断性能；电流耐受能力测试模块用于在模拟换流阀双极性短路情况下，对IGBT的电流耐受能力进行测试；采集模块用于采集IGBT集射极电压及发射极电流；保护模块用于当IGBT集射极电压和/或发射极电流超过对应的预设阈值时，切断双脉冲测试模块与IGBT的连接。本发明利用双脉冲测试模块对IGBT的开通、关断性能进行测试，利用电流源持续输出方波电流来模拟换流阀双极性短路情况下，浪涌电流冲击IGBT的情况，从而进一步提高了对IGBT性能测试的全面性及多样性。
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