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发明公开
CN110673062A 半导体装置 有权

半导体装置
摘要：
本发明涉及半导体装置。是一种半导体装置，具有：第1导电型的半导体基板（10）；设置在半导体基板（10）上的纵向霍尔元件（100）；以及经由绝缘膜（30）设置在纵向霍尔元件（100）的正上方的、励磁导体（200），其中，纵向霍尔元件（100）具备：设置在半导体基板（10）上的、第2导电型的半导体层（101）；以及在半导体层（101）的表面在一条直线上设置的、由高浓度的第2导电型的杂质区域构成的多个电极（111）~（115），励磁导体（200）的宽度WC与电极（111）~（115）的宽度WH之比WC/WH为0.3≤WC/WH≤1.0。
摘要（英）：

A semiconductor device includes a semiconductor substrate 10 of a first conductivity type, a vertical Hall element 100 provided on the semiconductor substrate 10, and an excitation conductor 200 provided directly above the vertical Hall element 100 with an intermediation of an insulating film 30. The vertical Hall element 100 includes a semiconductor layer 101 of a second conductivity type provided on the semiconductor substrate 10, and a plurality of electrodes 111 through 115 each constituted from a high-concentration second conductivity type impurity region and provided on the surface of the semiconductor layer 101 along a straight line. A ratio WC/WH between a width WC of the excitation conductor 200 and a width WH of each of the plurality of electrodes 111 through 115 satisfies: 0.3<=C/WH<=1.0.

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