公开(公告)号：CN111755596A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010227927.4

申请日：2020-03-27

申请人： 艾普凌科有限公司

发明人： 小川洋平 ,  上村纮崇

IPC分类号： H01L43/04 ,  H01L43/06

摘要： 半导体装置（1A）具备：半导体衬底（2）；包含磁传感部（3a）且设置在半导体衬底（2）的立式霍尔元件（3）；以及在半导体衬底（2）的表面侧与磁传感部（3a）分离设置的励磁布线（4），励磁布线（4）由多次环绕而成的单一布线构成，励磁布线（4）具有：多个主布线部（4A），其从与半导体衬底（2）的表面正交的方向俯视观察下，在与磁传感部（3a）重合的重叠区域互相分离且并列配置；以及副布线部（4B），其将多个主布线部（4A）各自互相串联连接。

公开(公告)号：CN110673062B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN201910594097.6

申请日：2019-07-03

申请人： 艾普凌科有限公司

发明人： 飞冈孝明 ,  上村纮崇

IPC分类号： G01R33/00 ,  G01R33/07 ,  H10N52/80 ,  H10N52/00

摘要： 本发明涉及半导体装置。是一种半导体装置，具有：第1导电型的半导体基板（10）；设置在半导体基板（10）上的纵向霍尔元件（100）；以及经由绝缘膜（30）设置在纵向霍尔元件（100）的正上方的、励磁导体（200），其中，纵向霍尔元件（100）具备：设置在半导体基板（10）上的、第2导电型的半导体层（101）；以及在半导体层（101）的表面在一条直线上设置的、由高浓度的第2导电型的杂质区域构成的多个电极（111）~（115），励磁导体（200）的宽度WC与电极（111）~（115）的宽度WH之比WC/WH为0.3≤WC/WH≤1.0。

公开(公告)号：CN110673062A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910594097.6

申请日：2019-07-03

申请人： 艾普凌科有限公司

发明人： 飞冈孝明 ,  上村纮崇

IPC分类号： G01R33/00 ,  G01R33/07 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06

摘要： 本发明涉及半导体装置。是一种半导体装置，具有：第1导电型的半导体基板（10）；设置在半导体基板（10）上的纵向霍尔元件（100）；以及经由绝缘膜（30）设置在纵向霍尔元件（100）的正上方的、励磁导体（200），其中，纵向霍尔元件（100）具备：设置在半导体基板（10）上的、第2导电型的半导体层（101）；以及在半导体层（101）的表面在一条直线上设置的、由高浓度的第2导电型的杂质区域构成的多个电极（111）~（115），励磁导体（200）的宽度WC与电极（111）~（115）的宽度WH之比WC/WH为0.3≤WC/WH≤1.0。