本发明涉及一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺，包括以下步骤，1)进舟；2)升温；3)炉管抽真空并检漏；4)氧化；5)恒温退火，在压力100‑150mbar，温度680‑710℃下维持15‑20min的退火并通入氮气5000‑10000sccm；6)降温退火，在压力100‑150mbar，温度620‑650℃下维持15‑20min的退火并通入氮气10000‑20000sccm；7)充气回压；8)出舟，结束工艺。本发明将常压氧化退火改为低压氧化退火，并在退火过程中采用恒温退火以及降温退火，使得工艺过程中的气体氛围能够被精确控制，退火环境洁净也得到提高，使得电池片效率得到提升。