一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺

    公开(公告)号:CN110690319B

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN201910815065.4

    申请日:2019-08-30

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 本发明涉及一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺,包括以下步骤,1)进舟;2)升温;3)炉管抽真空并检漏;4)氧化;5)恒温退火,在压力100‑150mbar,温度680‑710℃下维持15‑20min的退火并通入氮气5000‑10000sccm;6)降温退火,在压力100‑150mbar,温度620‑650℃下维持15‑20min的退火并通入氮气10000‑20000sccm;7)充气回压;8)出舟,结束工艺。本发明将常压氧化退火改为低压氧化退火,并在退火过程中采用恒温退火以及降温退火,使得工艺过程中的气体氛围能够被精确控制,退火环境洁净也得到提高,使得电池片效率得到提升。

    一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺

    公开(公告)号:CN110690319A

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201910815065.4

    申请日:2019-08-30

    IPC分类号: H01L31/18

    摘要: 本发明涉及一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺,包括以下步骤,1)进舟;2)升温;3)炉管抽真空并检漏;4)氧化;5)恒温退火,在压力100-150mbar,温度680-710℃下维持15-20min的退火并通入氮气5000-10000sccm;6)降温退火,在压力100-150mbar,温度620-650℃下维持15-20min的退火并通入氮气10000-20000sccm;7)充气回压;8)出舟,结束工艺。本发明将常压氧化退火改为低压氧化退火,并在退火过程中采用恒温退火以及降温退火,使得工艺过程中的气体氛围能够被精确控制,退火环境洁净也得到提高,使得电池片效率得到提升。