- 专利标题: 一种基于磁扭电效应的磁场传感器及其制造方法
- 专利标题(英): Magnetic field sensor based on magnetic torsional effect and manufacturing method thereof
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申请号: CN201910920177.6申请日: 2019-09-26
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公开(公告)号: CN110794346A公开(公告)日: 2020-02-14
- 发明人: 刘明 , 胡忠强 , 吴金根 , 周子尧 , 王志广
- 申请人: 西安交通大学
- 申请人地址: 陕西省西安市咸宁西路28号
- 专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市咸宁西路28号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 贺小停
- 主分类号: G01R33/06
- IPC分类号: G01R33/06 ; G01R33/00
摘要:
一种基于磁扭电效应的磁场传感器及其制造方法,包括压电材料、弹性层材料、永磁体材料、柔性电极、以及压电材料的上表面电极、下表面电极;压电材料的上、下表面贴合柔性电极,并以三明治结构封装于弹性层之间,压电材料位于弹性层长度方向的中心位置,弹性层的两端各自粘接一对永磁体,永磁体材料在外磁场的作用下产生扭矩,并对压电材料产生压应力的作用,压电材料产生电信号输出,继而实现对外界直流磁场、交流磁场的传感。本发明的磁场传感器,相比于常见的磁电传感器,无需偏置磁场,驱动简单,能耗低,基于磁扭电的悬臂梁结构也大大提高了传感器的使用寿命。
公开/授权文献
- CN110794346B 一种基于磁扭电效应的磁场传感器及其制造方法 公开/授权日:2021-01-19