发明授权
- 专利标题： 存储器件及其形成方法
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申请号： CN201810871789.6申请日： 2018-08-02
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公开(公告)号： CN110797455B公开(公告)日： 2023-08-22
- 发明人: 季明华 , 洪中山 , 应战
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号;
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号;
- 代理机构： 北京睿派知识产权代理有限公司
- 代理商 刘锋
- 主分类号： H10N70/20
- IPC分类号： H10N70/20 ; H10B63/00 ; B82Y10/00 ; B82Y30/00
摘要：
公开了一种存储器件及其形成方法，本发明实施例的技术方案通过使得存储单元中的碳纳米管堆叠结构中的大部分碳纳米管的以基本一致的方式堆积，进而使得存储器件的置位/复位电压或电流受控，从而提高了存储器件的性能。同时，本发明实施例的形成方法与现有的半导体工艺兼容，易于实施。
公开/授权文献
- CN110797455A 存储器件及其形成方法 公开/授权日：2020-02-14
