本发明的课题是提供包含涂布于具备具有高低差的部分和不具有高低差的部分的半导体基板上表面的工序，在所形成的抗蚀剂下层膜中，将该具有高低差的部分和该不具有高低差的部分的抗蚀剂下层膜的高低差(Iso‑dense偏差)(逆高低差)降低5nm以上的方法。解决手段是一种降低抗蚀剂下层膜的高低差(Iso‑dense偏差)的方法，其包含下述工序：向包含(A)聚合物和(D)溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物中进一步添加(C)氟系表面活性剂的工序；以及将添加了(C)氟系表面活性剂的该组合物涂布于具备具有高低差的部分和不具有高低差的部分的半导体基板上表面的工序，从而将该具有高低差的部分与不具有高低差的部分的抗蚀剂下层膜的高低差(逆高低差)降低5nm以上。