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公开(公告)号：CN118103775A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202280068542.5
申请日：2022-10-03
申请人： 日产化学株式会社
摘要： 本发明的课题是，本发明提供通过提高聚合物的热回流性从而改善烧成时对图案的填充性的抗蚀剂下层膜组合物、作为由该抗蚀剂下层膜组合物制成的涂布膜的烧成物的抗蚀剂下层膜、和包含形成该抗蚀剂下层膜的工序的半导体装置的制造方法。解决手段是本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物包含下述式(A)或式(B)所示的化合物、和溶剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN114174926A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080052220.2
申请日：2020-07-20
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , C08G61/12 , H01L21/027
摘要： 本发明提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与下述式(B)所示的化合物的反应生成物、和溶剂。(式中，X表示氧原子、或氮原子，Y表示单键、氧原子、或氮原子，X与Y也可以彼此结合而形成环，R1、R2、R3、和R4各自独立地表示氢原子、碳原子数1～20的烷基、碳原子数3～8的环状烷基、或碳原子数6～10的芳香族基，R2仅在X为氮原子的情况下存在，R4仅在Y为氮原子的情况下存在。)
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公开(公告)号：CN113544586A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080019762.X
申请日：2020-03-05
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
摘要： 本发明的课题是提供涂布于基板，然后通过将其加热的工序来表现高回流性，即使在高低差基板上也可以平坦地涂布，可以形成平坦化膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是，本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物是下述抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有式(1)所示的重复结构单元和/或式(2)所示的重复单元的共聚物、和有机溶剂。(在式(1)和式(2)中，R1表示式(3)所示的官能团，在式(3)中，Q1和Q2各自独立地表示氢原子或碳原子数1～5的烷基、＊表示与氧原子的结合端，在式(2)中，X1表示碳原子数1～50的有机基、i和j各自独立地表示0或1。)
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公开(公告)号：CN111316401A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880069448.5
申请日：2018-10-30
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , B32B7/023 , B32B7/06 , B32B27/00 , H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。
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公开(公告)号：CN109154778A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780030002.7
申请日：2017-05-02
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/16 , H01L21/027
摘要： 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：具有下述式(1a)和/或式(1b)所示的重复结构单元的聚合物、和溶剂。[式(1a)和(1b)中，2个R1各自独立地表示烷基、烯基、芳香族烃基、卤原子、硝基或氨基，2个R2各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、缩醛基、酰基或缩水甘油基，R3表示可以具有取代基的芳香族烃基或杂环基，R4表示氢原子、苯基或萘基，2个k各自独立地表示0或1，m表示3～500的整数，p表示3～500的整数，X表示苯环，与该苯环结合的2个-C(CH3)2-基处于间位或对位的关系。]
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公开(公告)号：CN113906077B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202080033573.8
申请日：2020-05-14
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： C08G59/17 , C08G59/62 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要： 本发明提供显示高的蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，可形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式(A)表示的化合物的一种或二种以上、下述式(B)表示的聚合物的一种或二种以上及溶剂；(式(A)中，X表示碳原子数2～50的n价有机基，n个Y分别独立地表示具有至少1个羟基的碳原子数6～60的芳香族烃基，n表示1～4的整数)；[式(B)中，R1表示氢原子或甲基，R2表示选自下述式(B‑1)～(B‑3)中的至少一种基；(式(B‑1)～(B‑3)中，*表示与邻接的氧原子的键结部位)]。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111316401B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201880069448.5
申请日：2018-10-30
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , B32B7/023 , B32B7/06 , B32B27/00 , H01L21/02 , H01L21/683
摘要： 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。
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公开(公告)号：CN116997861A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202280021830.5
申请日：2022-03-09
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： G03F7/11
摘要： [课题]本发明的目的是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其即使针对高低差基板也能形成被覆性良好、埋入后的膜厚差小、平坦并且具有更优异的硬度的膜。[解决手段]含有具有式(1)、式(2)、式(3)和式(4)(省略)所表示的重复单元中的至少一种重复单元的聚合物及溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物具有高耐蚀刻性、良好的干式蚀刻速度比和光学常数，进而，即使针对高低差基板也能形成被覆性良好、埋入后的膜厚差小、平坦并且具有更优异的硬度的膜，可达成更微细的基板加工。
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公开(公告)号：CN116057095A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180057444.7
申请日：2021-08-03
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： C08G12/08
摘要： 提供能够发挥污染装置的升华物量的减少、被覆膜的面内均匀涂布性的改善、并且对也被用于抗蚀剂下层膜的药液也显示充分的耐性等其它良好的特性的新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含溶剂、以及包含下述式(1)所示的单元结构(A)的聚合物。(在式(1)中，Ar1和Ar2各自表示苯环或萘环，R1和R2各自为取代Ar1和Ar2的环上的氢原子的基团，R4选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基，R5选自氢原子、三氟甲基、碳原子数6～40的芳基、和杂环基，n1和n2各自为0～3的整数。)。
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公开(公告)号：CN113906077A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080033573.8
申请日：2020-05-14
申请人： 日产化学株式会社
IPC分类号： C08G59/17 , C08G59/62 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要： 本发明提供显示高的蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比及光学常数，即使对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，可形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式(A)表示的化合物的一种或二种以上、下述式(B)表示的聚合物的一种或二种以上及溶剂；(式(A)中，X表示碳原子数2～50的n价有机基，n个Y分别独立地表示具有至少1个羟基的碳原子数6～60的芳香族烃基，n表示1～4的整数)；[式(B)中，R1表示氢原子或甲基，R2表示选自下述式(B‑1)～(B‑3)中的至少一种基；(式(B‑1)～(B‑3)中，*表示与邻接的氧原子的键结部位)]。
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