发明公开
- 专利标题: 半导体器件及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and method for fabricating the same
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申请号: CN201910378795.2申请日: 2019-05-08
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公开(公告)号: CN110828370A公开(公告)日: 2020-02-21
- 发明人: 金志荣 , 韩奎熙 , 朴成彬 , 金永吉 , 白宗玟 , 李敬雨 , 郑德泳
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市立方律师事务所
- 代理商 李娜
- 优先权: 10-2018-0091638 2018.08.07 KR
- 主分类号: H01L21/768
- IPC分类号: H01L21/768
摘要:
提供了一种半导体器件,其包括:下布线;层间绝缘膜,位于下布线上方并包括具有第一密度的第一部分和位于第一部分上的第二部分,第一部分和第二部分具有相同的材料,第二部分具有小于第一密度的第二密度;上布线,位于层间绝缘膜的第二部分中;以及通路,至少部分地位于层间绝缘膜的第一部分中,通路连接上布线和下布线。
公开/授权文献
- CN110828370B 半导体器件及其制造方法 公开/授权日:2024-06-18