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公开(公告)号：CN109976097B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201811612414.4
申请日：2018-12-27
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 这里提供了一种形成微图案的方法，其包括：在基板上形成蚀刻目标膜；在蚀刻目标膜上形成光敏辅助层，光敏辅助层用亲水基团封端；在光敏辅助层上形成粘合层，粘合层与亲水基团形成共价键；在粘合层上形成疏水的光致抗蚀剂膜；以及图案化光致抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：CN110828370B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201910378795.2
申请日：2019-05-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 提供了一种半导体器件，其包括：下布线；层间绝缘膜，位于下布线上方并包括具有第一密度的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第一部分和第二部分具有相同的材料，第二部分具有小于第一密度的第二密度；上布线，位于层间绝缘膜的第二部分中；以及通路，至少部分地位于层间绝缘膜的第一部分中，通路连接上布线和下布线。
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公开(公告)号：CN109976097A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811612414.4
申请日：2018-12-27
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 这里提供了一种形成微图案的方法，其包括：在基板上形成蚀刻目标膜；在蚀刻目标膜上形成光敏辅助层，光敏辅助层用亲水基团封端；在光敏辅助层上形成粘合层，粘合层与亲水基团形成共价键；在粘合层上形成疏水的光致抗蚀剂膜；以及图案化光致抗蚀剂膜。
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公开(公告)号：CN109904140A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201811255948.6
申请日：2018-10-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/522
摘要： 提供了半导体装置。半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。下金属层的一部分可以位于第二绝缘膜中，第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的限定凹部的一部分的阻挡介电膜和位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。
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公开(公告)号：CN102299136B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201110154632.X
申请日：2011-06-10
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/768
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L2224/16146 , H01L2225/06541 , H01L2924/01327 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括通路结构和导电结构。通路结构具有一表面，该表面具有平坦部分和突起部分。导电结构形成在通路结构的平坦部分的至少一部分上且不形成在通路结构的突起部分的至少一部分上。例如，导电结构仅形成在平坦部分上而不形成在突起部分的任何部分上，以形成导电结构与通路结构之间的高质量连接。
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公开(公告)号：CN109904140B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201811255948.6
申请日：2018-10-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/522
摘要： 提供了半导体装置。半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。下金属层的一部分可以位于第二绝缘膜中，第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的限定凹部的一部分的阻挡介电膜和位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。
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公开(公告)号：CN115458506A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210639401.6
申请日：2022-06-07
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/532 , H01L23/528 , H01L21/768
摘要： 一种半导体器件包括：设置在基板上的蚀刻停止膜；在蚀刻停止膜上的层间绝缘膜；第一沟槽和第二沟槽，在第一方向上间隔开并穿透蚀刻停止膜和层间绝缘膜，第一沟槽和第二沟槽具有暴露层间绝缘膜的侧壁；第一间隔物，覆盖由第一沟槽的侧壁暴露的层间绝缘膜且不覆盖第一沟槽的侧壁的一部分；第二间隔物，覆盖由第二沟槽的侧壁暴露的层间绝缘膜且不覆盖第二沟槽的侧壁的一部分；第一阻挡层，沿着第一间隔物的侧壁、第一沟槽的侧壁的未被第一间隔物覆盖的部分和第一沟槽的底表面延伸；填充第一沟槽的第一填充膜；第二阻挡层，沿着第二间隔物的侧壁、第二沟槽的侧壁的未被第二间隔物覆盖的部分和第二沟槽的底表面延伸；以及填充第二沟槽的第二填充膜。
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公开(公告)号：CN113629037A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110120166.7
申请日：2021-01-28
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/535 , H01L23/48 , H01L29/78 , H01L27/02
摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：晶体管，位于基底上；第一层间绝缘层，位于晶体管上；下互连线，位于第一层间绝缘层的上部中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括穿透蚀刻停止层以接触下互连线的通路部分；蚀刻停止图案，位于蚀刻停止层上并且与通路部分的第一侧壁接触。第二层间绝缘层在蚀刻停止图案和蚀刻停止层的其上没有蚀刻停止图案的顶表面上延伸。蚀刻停止图案的介电常数比蚀刻停止层的介电常数高。
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公开(公告)号：CN110828370A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910378795.2
申请日：2019-05-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 提供了一种半导体器件，其包括：下布线；层间绝缘膜，位于下布线上方并包括具有第一密度的第一部分和位于第一部分上的第二部分，第一部分和第二部分具有相同的材料，第二部分具有小于第一密度的第二密度；上布线，位于层间绝缘膜的第二部分中；以及通路，至少部分地位于层间绝缘膜的第一部分中，通路连接上布线和下布线。
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公开(公告)号：CN102299136A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110154632.X
申请日：2011-06-10
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/768
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L2224/16146 , H01L2225/06541 , H01L2924/01327 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括通路结构和导电结构。通路结构具有一表面，该表面具有平坦部分和突起部分。导电结构形成在通路结构的平坦部分的至少一部分上且不形成在通路结构的突起部分的至少一部分上。例如，导电结构仅形成在平坦部分上而不形成在突起部分的任何部分上，以形成导电结构与通路结构之间的高质量连接。
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