Invention Publication
- Patent Title: 碳化硅外延氧化镓薄膜方法及碳化硅外延氧化镓薄膜结构
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Application No.: CN201910974289.XApplication Date: 2019-10-14
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Publication No.: CN110896024APublication Date: 2020-03-20
- Inventor: 贾仁需 , 于淼 , 余建刚 , 王卓
- Applicant: 西安电子科技大学
- Applicant Address: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- Assignee: 西安电子科技大学
- Current Assignee: 西安电子科技大学
- Current Assignee Address: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- Agency: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- Agent 刘长春
- Main IPC: H01L21/02
- IPC: H01L21/02
Abstract:
本发明公开了一种碳化硅外延氧化镓薄膜的方法，包括：选取碳化硅衬底层；在所述碳化硅衬底层表面上制备(AlxGa1-x)2O3缓冲层；在所述(AlxGa1-x)2O3缓冲层表面上制备Ga2O3薄膜层。本发明所提供的碳化硅外延氧化镓薄膜的制备方法首先在碳化硅衬底层表面形成(AlxGa1-x)2O3缓冲层，从而减少了由于晶格失配引起的位错缺陷，然后又在(AlxGa1-x)2O3缓冲层表面形成Ga2O3薄膜层，从而提高后续生长的Ga2O3薄膜层的结晶度，最终实现了在碳化硅衬底层上制备高结晶的Ga2O3薄膜材料的结构。
Public/Granted literature
- CN110896024B 碳化硅外延氧化镓薄膜方法及碳化硅外延氧化镓薄膜结构 Public/Granted day:2023-08-04
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IPC分类:
