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公开(公告)号：CN117832272A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311737713.1
申请日：2023-12-14
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/16 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种JFET区具有导流层的SiC MOSFET结构及制备方法，结构包括：N‑漂移区层位于N+衬底层的上表面；两个P型基区位于器件两端的N‑漂移区层内；两个P型基区之间形成有JFET区；两个P+体区位于器件两端的P型基区内；两个N+源区位于P型基区内且邻接P+体区；两个沟道区位于P型基区内且邻接N+源区；两个导流层位于JFET区内且邻接沟道区；阻流层位于两个导流层之间的JFET区内；两个源电极位于器件两端的P+体区和N+源区上；栅氧层位于两个N+源区、两个沟道区、两个导流层、阻流层和JFET区上；栅电极位于栅氧层上；漏电极位于N+衬底层的下表面。本发明提升了器件的短路耐受时间。
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公开(公告)号：CN117690965A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311870666.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种JFET区具有阻挡层的MOSFET及其制备方法，MOSFET包括：衬底层、漂移层、P型基区、P+体区、N+源区、沟道区、侧翼阻挡层和中间阻挡层，其中，侧翼阻挡层位于中间阻挡层的两侧，由漂移层的上表面延伸至漂移层的内部，且侧翼阻挡层的一侧与沟道区接触；侧翼阻挡层的厚度小于中间阻挡层的厚度，掺杂浓度大于中间阻挡层的掺杂浓度。本发明的器件进入短路状态时，PN结产生的耗尽层主要向中间阻挡层的位置扩展，中间阻挡层可以减缓器件的温度积累，提升器件的短路耐受时间，侧翼阻挡层使得器件能够保持较低的导通电阻，本发明提供的MOSFET同时具有良好的导通特性和短路耐受能力。
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公开(公告)号：CN117913132A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410089026.1
申请日：2024-01-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/749 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L21/332
Abstract: 本发明涉及一种基于三极管加速导通结构的碳化硅晶闸管及其制备方法，碳化硅晶闸管包括：依次层叠的N型4H‑SiC衬底、P型4H‑SiC缓冲层、P型4H‑SiC漂移层；第一N型4H‑SiC掺杂门极区，位于P型4H‑SiC漂移层表面；第二N型4H‑SiC掺杂门极区，位于P型4H‑SiC漂移层表面，且位于第一N型4H‑SiC掺杂门极区两侧；N型4H‑SiC欧姆接触门极区，位于第二N型4H‑SiC掺杂门极区的表层；P型4H‑SiC阳极区，位于第一N型4H‑SiC掺杂门极区的表层；第一欧姆接触层，位于N型4H‑SiC欧姆接触门极区的表面和P型4H‑SiC阳极区的表面；欧姆接触电极层，位于N型4H‑SiC衬底的下表面；钝化层，覆盖部分第一N型4H‑SiC掺杂门极区、部分第二N型4H‑SiC掺杂门极区和部分P型4H‑SiC阳极区。该晶闸管引入新的门极区域，有效提升了器件的开通效率。
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公开(公告)号：CN117393594A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311436653.X
申请日：2023-10-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种低导通损耗和低关断损耗的可变电导IGBT，包括：N型发射区、P型基区、N型载流子存储层、P阱、N型漂移区、P型JFET源区、栅电极、N型JFET栅极区和P型JFET沟道区，其中，P阱、N型漂移区、N型载流子存储层和P型基区自下而上依次设置；栅电极由P型基区的上表面贯穿至N型漂移区的内部；P型JFET沟道区由P型基区的上表面贯穿至P阱的上表面或内部；N型JFET栅极区位于P型JFET沟道区的两侧；P型JFET源区位于P型JFET沟道区的上表层中。通过在P阱中引入JFET结构使得N型载流子存储层的掺杂浓度NCS对击穿电压BV无影响，且能实现低导通压降Von和低关断损耗能量Eoff。
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公开(公告)号：CN114727206A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210153476.3
申请日：2022-02-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS麦克风结构及其制备方法，包括：麦克风本体；麦克风本体上设有第一电极通孔、第一电极安装槽、第二电极通孔和第二电极安装槽；第一电极通孔、第一电极安装槽和第二电极安装槽的侧壁上均覆盖有二氧化硅连接层；二氧化硅连接层表面平滑且为背向侧壁凸起的弧面。本发明的麦克风结构及其制备方法通过在第一电极通孔、第一电极安装槽和第二电极安装槽的侧壁上均覆盖有表面平滑的二氧化硅连接层，金属电极与二氧化硅连接层的接触面较为平滑，金属电极覆盖性较佳，避免金属电极连接发生断裂造成的器件失效，提升了器件制造良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110350088B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910470603.0
申请日：2019-05-31
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Al2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法。其中，该制备方法包括步骤：在衬底的第一面生长Al2O3材料，形成栅介质层；在所述栅介质层上生长CH3NH3PbI3材料，形成光吸收层；在所述光吸收层上生长第一电极；在所述衬底的第二面生长第二电极。本发明实施例MOS电容光敏器件采用Al2O3材料作为栅介质层，Al2O3材料为高K栅介质材料，高K栅介质材料使器件在暗态条件下几乎不导通，从而暗态下第一电极与第二电极之间的电流极小，大幅度减少了栅泄漏电流，降低了器件的功耗，提高了器件的光敏特性，有利于减小MOS器件的特征尺寸，实现MOS器件的小型化设计。
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公开(公告)号：CN108682747B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810466984.0
申请日：2018-05-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在Si衬底的一侧表面沉积金属Al形成下电极；在Si衬底的另一侧表面沉积金属氧化物形成界面缓冲层；在界面缓冲层上沉积CH3NH3PbI3形成光吸收层；在光吸收层上沉积金属Au形成上电极，形成双异质结钙钛矿光电器件。该双异质结钙钛矿光电器件依次包括上电极、CH3NH3PbI3光吸收层、界面缓冲层、Si衬底和下电极。所述双异质结钙钛矿光电器件在Si衬底与CH3NH3PbI3之间包括界面缓冲层，降低Si衬底与CH3NH3PbI3光吸收层之间的能量失配，减少光生电子与光生空穴的复合，提高光电器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN109301022B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810900497.0
申请日：2018-08-09
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种基于(InxGa1‑x)2O3的双波段紫外光电器件及其制备方法，所述方法包括：选取衬底；在所述衬底上表面生长(InxGa1‑x)2O3材料形成紫外光吸收层；在所述紫外光吸收层的上表面生长Au和In形成叉指电极。所述器件包括衬底层、(InxGa1‑x)2O3紫外光吸收层以及叉指电极，其中，所述叉指电极为非对称结构，包括具有不同指宽的Au电极部分和In电极部分。该基于(InxGa1‑x)2O3的双波段紫外光电器件在高In组份的情况下，(InxGa1‑x)2O3会发生相的分离，产生两个光学带隙，从而对两个紫外光谱范围产生感应，并且具有自供电特性。
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公开(公告)号：CN109037451B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810592174.X
申请日：2018-06-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Y2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长Y2O3材料形成栅介质层；在栅介质层上表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在光吸收层上表面溅射Au材料形成第一电极；在Si衬底下表面溅射Al材料形成第二电极，从而形成基于CH3NH3PbI3材料和Y2O3材料的MOS电容光敏器件。利用CH3NH3PbI3材料作为光吸收层和Y2O3材料作为栅介质层来制备光敏器件，对改善现有光敏器件的性能具有很大的作用，本发明的光敏器件具有低功耗、高灵敏度的特点。
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公开(公告)号：CN107658337B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710852545.9
申请日：2017-09-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L29/22 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种高电子迁移率自旋场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法包括：选取4H‑SiC衬底；在所述4H‑SiC衬底上生长N型Ga2O3外延层；在所述N型Ga2O3外延层中制作源区和漏区；在所述源区与所述漏区的表面制作电极以完成源极与漏极的制备；在所述N型Ga2O3外延层上制作栅极以完成所述晶体管的制备。本发明提供的高电子迁移率自旋场效应晶体管，采用N型Ga2O3材料作为源极、漏极以及沟道材料，极大地提高了自旋注入和接收的效率，从而提高了器件的性能。
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