蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法

Invention Grant

CN110911278B 蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法有权

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Patent Title: 蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法
Application No.: CN201910879827.7

Application Date: 2019-09-18
Publication No.: CN110911278B

Publication Date: 2024-07-05
Inventor: 金贞儿 , 朴美贤 , 李轸雨 , 金建伶 , 李晓山 , 韩勋 , 李珍旭 , 林廷训
Applicant: 三星电子株式会社 , 秀博瑞殷株式会社
Applicant Address: 韩国京畿道;
Assignee: 三星电子株式会社,秀博瑞殷株式会社
Current Assignee: 三星电子株式会社,秀博瑞殷株式会社
Current Assignee Address: 韩国京畿道;
Agency: 北京市立方律师事务所
Agent 李娜; 王占杰
Main IPC: H01L21/306
IPC: H01L21/306 ; C23F1/18 ; C23F1/26 ; C23F1/20 ; C23F1/28

Abstract:

公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

Public/Granted literature

CN110911278A 蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法 Public/Granted day:2020-03-24

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）