公开(公告)号：CN110911278B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN201910879827.7

申请日：2019-09-18

申请人： 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

发明人： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  C23F1/28

摘要： 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN117448824A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311566341.0

申请日：2019-09-18

申请人： 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

发明人： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC分类号： C23F1/26 ,  H01L21/306 ,  C23F1/02 ,  C23F1/20 ,  C23F1/18 ,  C23F1/28 ,  C09K13/06

摘要： 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN111410964A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010013430.2

申请日：2020-01-07

申请人： 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

发明人： 金贞儿 ,  金荣灿 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训 ,  金益熙

IPC分类号： C09K13/04 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/311

摘要： 本申请公开了蚀刻剂组合物和制作半导体器件的方法，所述组合物包含：无机酸；约0.01重量份至约0.5重量份的胶状二氧化硅；约0.01重量份至约30重量份的铵系添加剂；和约20重量份至约50重量份的溶剂，所有重量份都是基于100重量份的所述无机酸。

公开(公告)号：CN110911278A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910879827.7

申请日：2019-09-18

申请人： 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

发明人： 金贞儿 ,  朴美贤 ,  李轸雨 ,  金建伶 ,  李晓山 ,  韩勋 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/20 ,  C23F1/28

摘要： 公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。

公开(公告)号：CN116482935A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202211535262.9

申请日：2022-12-02

申请人： 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

发明人： 文炯朗 ,  金荣权 ,  许伦旼 ,  李旻映 ,  金旼秀 ,  李圭原 ,  崔正敏 ,  朴哲弘 ,  高武铉 ,  裴相元 ,  金贞儿

IPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

摘要： 本发明涉及一种形成图案的方法。该方法包括：在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘顺序地涂覆两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，以及对该含金属的抗蚀剂膜进行曝光和显影以形成抗蚀剂图案；或在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘涂覆用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，曝光含金属的抗蚀剂膜，以及用显影液组合物显影以形成抗蚀剂图案，其中，两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物和显影液组合物的细节如说明书中所述。

公开(公告)号：CN115598939A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210793674.6

申请日：2022-07-07

申请人： 三星SDI株式会社(KR) ,  三星电子株式会社(KR)

发明人： 许伦旼 ,  文炯朗 ,  李旻映 ,  金旼秀 ,  金荣权 ,  金宰贤 ,  禹昌秀 ,  崔正敏 ,  高武铉 ,  金贞儿 ,  都星安 ,  裵相元 ,  韩勋 ,  洪锡九

IPC分类号： G03F7/32 ,  G03F7/20

摘要： 本发明提供了一种含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物，以及包括使用其进行显影步骤的形成图案的方法。该含金属的光致抗蚀剂显影剂组合物包含有机溶剂和被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中七角环化合物在环中具有至少两个双键。

公开(公告)号：CN117935947A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311355437.2

申请日：2023-10-18

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 阮成纲 ,  朴智暎 ,  金贞儿 ,  李昇玟 ,  张印国

IPC分类号： G16C20/10

摘要： 公开了发掘光致抗蚀剂溶解剂的方法和系统。所述方法包括：获得限定配体材料的输入数据；基于所述输入数据估计配体交换反应的反应能量，在配体交换反应中，包括第一金属和第一配体的第一络合物的第一配体与第二配体交换；基于物理模型估计与反应能量对应的第一金属的残余浓度；以及基于所述残余浓度验证提供第二配体的光致抗蚀剂溶解剂。

公开(公告)号：CN115598942A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210794402.8

申请日：2022-07-07

申请人： 三星SDI株式会社(KR) ,  三星电子株式会社(KR)

发明人： 李旻映 ,  文炯朗 ,  许伦旼 ,  金旼秀 ,  金荣权 ,  金宰贤 ,  禹昌秀 ,  崔正敏 ,  高武铉 ,  金贞儿 ,  都星安 ,  裵相元 ,  韩勋 ,  洪锡九

IPC分类号： G03F7/42

摘要： 本发明提供了一种从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物，及包括使用组合物去除边缘珠的步骤的形成图案的方法。该从含金属的抗蚀剂去除边缘珠的组合物包含有机溶剂、以及被至少一个羟基(‑OH)取代的七角环化合物，其中该七角环化合物在该环中具有至少两个双键。